请给我一个栅压自举电路的实例并给出参数，实例图请以链接形式放在最后

以下是一个栅压自举电路的实例，以驱动N沟道MOSFET：


参数：

- VDD = 12V
- R1 = 100kΩ
- R2 = 10kΩ
- C1 = 100nF
- Q1 = N沟道MOSFET

说明：

在电路中，R1和R2形成一个压分器，将高电压的VDD转换为低电压的VB。VB通过C1与栅极相连，形成栅压自举电路。初始电路电源上启动时，VB被预充电至VDD * R2 / (R1 + R2)的电压值，然后VB将继续通过C1自升高至接近VDD，允许MOSFET上电。

链接：https://electronics.stackexchange.com/questions/55153/mosfet-drain-pull-up-limited-to-12vdc

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请给我一个栅压自举电路的实例图并给出参数

以下是一个栅压自举电路的实例图：


此电路为以 NPN 晶体管为例。参数为：

- R1 = 100 kΩ
- R2 = 10 kΩ
- C1 = 10 μF
- C2 = 100 μF
- Vcc = 12 V
- V1 = 5 V

其中 R1 和 C1 组成了一个 RC 滤波电路，用于滤除输入信号的高频成分。当输入信号足够大时，晶体管开始通电，C2 开始给栅极充电，增加栅极电压，加大晶体管的放大效果，使得输出信号变得更大。C2 同时也通过 R2 给 R1 充电，使输出回路得以完成。

注意，栅压自举电路需要合理设计参数。电容的值过大，栅极的电压不容易稳定，反复充放电会导致输出的失真。但是电容过小，输出信号的幅度会变得很小，无法达到预期的放大效果。因此，在实践中，需要对电容和电阻的值进行仔细的调整。

请给我一个40nm工艺，VDD=1.8V的栅压自举电路的实例并给出参数，实例图请以链接形式放在最后

以下是一个40nm工艺，VDD=1.8V的栅压自举电路的实例及参数：

实例图链接：https://www.electronicsforu.com/wp-content/uploads/2017/03/THE-BOOTSTRAP-CIRCUITED-CMOS-AMPLIFIER-1.jpg

参数：
- VDD：1.8V
- MOSFET宽度(W)：1μm
- MOSFET长度(L)：40nm
- MOSFET阈值电压(VT)：0.5V
- 输入信号频率：10kHz
- 静态电流：100μA
- 开关频率：100kHz

该栅压自举电路可以用于信号放大器和射频电路等领域。在输入信号信号很小时，为了避免共模等效电阻对放大器增益的影响，需要使用栅压自举电路。它的特点在于能够提高MOSFET的输入电阻，从而使得信号放大器增益更高。