CMOS反相器输出的高、低电平值与负载电流无关

这是正确的。CMOS反相器输出的高、低电平值与负载电流无关。因为CMOS反相器的输出由两个MOS管构成，一个P型MOS管和一个N型MOS管。当输入为高电平时，P型MOS管导通，N型MOS管截止，输出为低电平；当输入为低电平时，P型MOS管截止，N型MOS管导通，输出为高电平。因此，输出电平只与输入电平有关，与负载电流无关。

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E/E 非饱和负载 NMOS 反相器，负载晶体管栅压 VGG = 1.5VDD，分析反相器输出高、低 电平分别为多少

在E/E非饱和负载NMOS反相器中，负载晶体管栅压VGG = 1.5VDD，反相器输入为高电平时，输入端NMOS截止，输出端负载晶体管导通，输出为低电平；反之，输入为低电平时，输入端NMOS导通，输出端负载晶体管截止，输出为高电平。

因为VGG = 1.5VDD，所以负载晶体管的栅极电压为正。假设输入端NMOS的阈值电压为VT，NMOS的漏极电阻为r，负载晶体管的栅极电容为C，负载晶体管的跨导为gm，输出电阻为Ro。

当输入为高电平时，输入端NMOS截止，输出端负载晶体管导通，根据Kirchhoff电压定律可得：

Vout - VDD - VGG = gmVinRo

又因为Vin = VDD，代入可得：

Vout = VDD - VGG/gmRo

当输入为低电平时，输入端NMOS导通，输出端负载晶体管截止，根据Kirchhoff电流定律可得：

-gmVin + (Vout - VDD)/r + C(dVout/dt) = 0

又因为Vin = 0，代入可得：

Vout = VDD - rC(dVout/dt)

综上所述，反相器输出高、低电平分别为：

Vout(H) = VDD - VGG/gmRo

Vout(L) = VDD - rC(dVout/dt)

E/E 非饱和负载 NMOS 反相器，负载晶体管栅压 VGG = 1.5VDD，分析反相器输出高、低 电平分别为多少。

假设 NMOS 反相器的输入电压为 V_IN，阈值电压为 V_TH，且 V_IN > V_TH。

当输入为高电平时，NMOS 导通，输出为低电平；当输入为低电平时，NMOS 截止，输出为高电平。

根据负载晶体管的栅压 VGG = 1.5VDD，可得负载晶体管的源极电压为 V_S = VGG - V_DD = 0.5V_DD。

当输出为高电平时，负载晶体管截止，输出电压为 V_DD；当输出为低电平时，负载晶体管导通，输出电压为 V_S。

因此，反相器输出高、低电平分别为 V_DD 和 0.5V_DD。