silicide/salicide制程
时间: 2023-07-01 12:27:14 浏览: 372
Silicide和Salicide制程都是半导体工艺中的一种。它们是用于制作互连电极和源极/漏极金属化的技术。这些技术可以提高晶体管的性能和可靠性。
Silicide制程是将金属沉积在硅表面,然后在高温下反应形成金硅化物。这个过程需要进行两次快速热退火(RTA),以确保金属与硅充分反应并形成稳定的金硅化物层。Silicide制程通常用于CMOS和BiCMOS制程。
Salicide制程是其中一种改进的Silicide制程,它是选择性金属化的自对准工艺,可以在不影响晶体管的结构和性能的情况下形成金硅化物层。这个过程也需要进行两次RTA,以确保金硅化物层的稳定性和可靠性。Salicide制程通常用于高速器件的制造中。
相关问题
电阻里面silicide
在电子元件制造中,"silicide"(硅合金化)是一个术语,它通常指在硅(Si)表面形成一层金属或合金的过程。这种过程的主要目的是为了改善硅芯片上金属互连(interconnects)的性能,特别是在半导体器件如晶体管、集成电路(IC)等的设计中。
硅合金化技术主要用于减少电阻和提高导电率,因为它可以在硅表面上生成低阻抗的金属接触,比如铜(Cu)、镍硅(Ni-Si)、钛硅(Ti-Si)等合金层。通过精确控制合金成分和沉积工艺,可以优化导电性能,同时保持良好的热稳定性和机械强度。
这种技术对于缩小电路尺寸、提升芯片性能以及降低功耗等方面有显著作用。
silicide 为什么两次退火
silicide材料在制备过程中需要进行退火处理来改变其晶体结构和性质,通常会进行多次退火处理。它的主要目的是:
1. 降低电阻率:silicide材料的电阻率与其晶体结构和杂质含量等因素有关,通过退火可以使其晶体结构更加有序,杂质含量降低,从而降低电阻率。
2. 增加稳定性:silicide材料在高温下容易分解,进行退火处理可以使其晶体结构更加稳定,从而提高其热稳定性。
3. 改善界面质量:silicide材料与半导体的界面质量对器件的性能有很大影响,通过退火可以改善界面质量,提高器件性能。
因此,silicide材料需要进行多次退火处理来改善其性质和稳定性。
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