STM32G4 Flash擦写

STM32G4系列微控制器的Flash擦写可以通过以下步骤实现：

1. 解锁Flash区域：在擦写Flash之前，需要先解锁Flash区域。可以使用以下代码实现：

  HAL_FLASH_Unlock();

2. 擦除Flash扇区：使用以下代码擦除指定的Flash扇区：

  FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_1, FLASH_VOLTAGE_RANGE_3);

其中，FLASH_SECTOR_1表示要擦除的扇区，FLASH_VOLTAGE_RANGE_3表示Flash的工作电压范围。

3. 写入数据：使用以下代码将数据写入Flash：

  HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_DOUBLEWORD, address, data);

其中，address表示要写入的Flash地址，data表示要写入的数据。

4. 锁定Flash区域：在完成Flash擦写后，需要锁定Flash区域以保护Flash数据。可以使用以下代码实现：

  HAL_FLASH_Lock();

以上就是STM32G4系列微控制器的Flash擦写的基本步骤。需要注意的是，Flash擦写是一项危险的操作，需要谨慎处理，避免对Flash数据造成损坏。