首页在风控里面SPD30+和TPD30+是相斥的嘛，TPD30+包含SPD30+吗

在风控里面SPD30+和TPD30+是相斥的嘛，TPD30+包含SPD30+吗

时间: 2023-09-14 10:08:52 浏览: 135

SPD30P06PG-VB一款TO252封装 MOSFET参数应用解析

SPD30P06PG-VB一款TO252封装 MOSFET参数应用解析本文档对 SPD30P06PG-VB 一款 TO252 封装 MOSFET 参数进行了详细的解析。该MOSFET具有P沟道、-60V、-22A、RDS(ON)为48mΩ@10V、57mΩ@4.5V、20Vgs（±V）、-1.5Vth(V)等特点。应用场景该MOSFET广泛应用于高侧开关、DC/DC_converter、LCD_display等领域。其特点是Halogen-free、TrenchFET® Power MOSFET、100 % UIS Tested、Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC。参数解析该MOSFET的参数包括： * VDS（-60V）：drain-source voltage * RDS(on)（48mΩ@10V、57mΩ@4.5V）：on-state drain-source resistance * ID（-22A）：continuous drain current * VGS（±20V）：gate-source voltage * Vth（-1.5V）：threshold voltage 应用注意事项在应用该MOSFET时，需要注意以下几点： * Duty cycle ≤ 1% * 当mounted on 1" square PCB (FR-4 material)时，需要注意热设计 * 见SOA曲线以获取电压derating信息 * 基于TC = 25 °C的测试结果绝对最大额定值 * VDS（-60V）：drain-source voltage * VGS（± 20V）：gate-source voltage * ID（-22A）：continuous drain current * IDM（-100A）： pulsed drain current * EAS（24.2mJ）：repetitive avalanche energy 热阻抗 * RthJA（172°C/W）：maximum junction-to-ambient thermal resistance * RthJC（2.73°C/W）：maximum junction-to-case thermal resistance 其他特点 * 该MOSFET符合RoHS Directive 2002/95/EC标准 * 具有100 % UIS Tested特点 * 是一款Halogen-free的MOSFET 该SPD30P06PG-VB是一款高性能的MOSFET，广泛应用于电源管理、显示器驱动等领域。

在风控中，SPD30+和TPD30+是不相斥的，因为它们分别代表不同的违约情况。SPD30+是指借款人超过30天未还款而出现逾期的情况，而TPD30+则是指借款人在SPD30+的基础上，连续逾期超过30天，即总逾期天数超过60天的情况。因此，TPD30+包含SPD30+。在风控中，通常会同时考虑借款人的SPD30+和TPD30+情况，以全面评估其信用风险。

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