GIDL, 开关闭, 开态电流, 这些叫做电性参数吗?
时间: 2023-10-06 20:06:05 浏览: 139
是的,GIDL、开关闭、开态电流都是晶体管的电性参数。其中,GIDL (Gate-Induced Drain Leakage) 是指当晶体管处于关闭状态时,由于栅极电场的影响,漏极上会出现一定的电流;而开关闭是指晶体管的开关特性,即当栅极电压发生变化时,晶体管的导通特性发生变化;开态电流则是指当晶体管处于导通状态时,漏极上的电流大小。这些参数对于晶体管的性能评估和设计非常重要。
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本文通过TCAD仿真和实际晶体管制造,研究了gate oxide厚度和Si pillar长度对MOSFET器件性能的影响。仿真结果表明,当gate oxide厚度为10nm时,GIDL漏电最小;当Si pillar长度为200nm时,开关比最大。为了验证仿真结果,我们对晶体管进行了实际制造和测试。实验结果表明,经过优化的MOSFET器件性能得到了显著提高,GIDL漏电最小值为1.2nA,开关比最大值为120。这些结果为MOSFET器件的设计和优化提供了有力支持,有望在实际应用中发挥重要作用。
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