SiC mosfet 制作流程

SiC mosfet 的制作流程包括以下几个步骤：

1. 原料准备：选用高纯度的 SiC 粉末作为原材料，将其混合成所需比例的方便后进行压制。同时还需要准备固化剂、清洗剂、氮气等辅助材料。

2. 混合、压制：将混合好的 SiC 粉末投入到模具中，通过高压对其进行压制，生产出所需形状的 SiC 坯料。这个过程中需要在高温高压环境下进行。

3. 烧结、晶化：将 SiC 坯料放入高温炉中进行烧结。烧结完成后，进行晶化，使其形成结晶体。

4. 切割、钝化：将晶化后的 SiC 坯料进行切割，制成具有特定尺寸的晶片。然后对其表面进行处理，使其光洁度提高，同时增强其绝缘能力。

5. 沟槽加工、金属化：将晶片的表面进行加工，在表面形成SiO2绝缘层，同时制成金属接触点。

6. 贴合、封装：在晶片的底部加上金属支撑，将其贴合到散热片上并进行封装，形成完整的 SiC mosfet 元器件。

以上就是 SiC mosfet 的制作流程。