在高电压GaN HEMT应用中，如何正确实现低驱动阻抗和差分概念的栅极驱动，并确保共模瞬态免疫力？

在设计高电压GaN HEMT的栅极驱动时，关键在于实现低驱动阻抗和差分概念，同时保证隔离栅极驱动IC的共模瞬态免疫力。首先，低驱动阻抗确保了栅极的快速充电与放电，这对于提高开关速度和降低功耗至关重要。实现低驱动阻抗可以通过使用具有低源极和汲极阻抗的驱动IC来完成。例如，Infineon的GaNEiceDRIVER™系列驱动器提供了非常低的0.85欧姆源极阻抗和0.35欧姆汲极阻抗，这有助于实现高效的功率转换和快速的开关响应。

参考资源链接：[GaN MOS驱动技术与专用集成电路](https://wenku.csdn.net/doc/5yaxc2tj88?spm=1055.2569.3001.10343)

其次，差分概念在栅极驱动中也非常关键，它允许驱动器在任何条件下提供负栅极驱动电压，从而确保了系统的稳定性。这通常通过差分输入设计实现，使得驱动器能够在高电磁干扰的环境中保持稳定工作。

最后，要确保共模瞬态免疫力，隔离栅极驱动IC需要具备高共模瞬态免疫力（CMTI）特性。这可以通过使用无芯变压器（CT）技术等隔离技术来实现，例如GaNEiceDRIVER™系列中使用的CT技术，能够提供超过200V/ns的CMTI，从而确保了高电磁兼容性。

综上所述，在设计高电压GaN HEMT的栅极驱动时，应选择具有低驱动阻抗、差分输入设计和高共模瞬态免疫力特性的专用隔离栅极驱动IC，如GaNEiceDRIVER™系列，以确保高效、稳定和可靠的电源系统设计。

参考资源链接：[GaN MOS驱动技术与专用集成电路](https://wenku.csdn.net/doc/5yaxc2tj88?spm=1055.2569.3001.10343)