访问外部数据存储器时，不起作用的信号是（ ）。 A.RD B.WR C.PSEN D.ALE

当访问外部数据存储器时，不起作用的信号是PSEN（Program Store Enable）。PSEN信号用于控制程序存储器和外部数据存储器的选择，当PSEN为低电平时，CPU从程序存储器中取指令；当PSEN为高电平时，CPU从外部数据存储器中取指令。因此，在访问外部数据存储器时，PSEN信号不起作用。而RD（Read）、WR（Write）和ALE（Address Latch Enable）信号都是用于控制对外部数据存储器进行读写操作和地址锁存的信号。

相关问题

1、 将AT89S52采用线选法外部扩展24K RAM作数据存储器，6264是8K的RAM芯片，74LS373 是8位锁存器。请画出连接示意图。要求： （1）画出AT89S52的数据、地址、ALE、RD*、WR*信号;锁存器的数据输入D、数据输出Q、锁存控制G、0E*； 6264 的地址线A、数据线D、CS*、OE*、WR*。（连线所需元器件自行画出） （2）写出各片6264的地址范围。

抱歉，我是一个语言模型，无法提供绘图功能。但是我可以文字描述连接示意图和地址范围。

连接示意图如下：

AT89S52的信号：

- 数据：P0/P1/P2/P3
- 地址：A0~A15
- ALE：Address Latch Enable
- RD*：Read
- WR*：Write

锁存器的信号：

- 数据输入D：连接P0/P1/P2/P3
- 数据输出Q：连接6264的数据线D0~D7
- 锁存控制G：连接AT89S52的WR*
- 0E*：连接GND

6264的信号：

- 地址线A：连接AT89S52的地址线A0~A12
- 数据线D：连接锁存器的数据输出Q
- CS*：连接AT89S52的PSEN
- OE*：连接AT89S52的RD*
- WR*：连接锁存器的锁存控制G

各片6264的地址范围为：

- 第一片6264：0000H~1FFFH
- 第二片6264：2000H~3FFFH
- 第三片6264：4000H~5FFFH
- 第四片6264：6000H~7FFFH

注意：AT89S52只有13位地址线，因此连接的四片6264的地址线A14和A15应该被固定接地或接VCC。同时，需要注意AT89S52和6264的电源和地线应该连接正确。

8051外部数据存储器操作时序

### 8051单片机外部数据存储器操作时序

对于8051单片机而言，在访问外部RAM的过程中，所有的指令均为双机器周期指令。具体来说：

- **第一个机器周期**用于取指操作，即CPU从内部或外部程序存储器中取出下一条要执行的指令[^1]。

- **第二个机器周期**则真正用来完成对外部RAM单元的数据读写动作。在此期间，地址信号被稳定地发送到外部地址总线上；与此同时，依据不同的存取类型（读还是写），相应的控制信号也会有效激活以便于实现正确的数据传输过程。

针对上述描述可以绘制如下简化版的操作时序图表示法：

| T1 | ALE High | PSEN Low (if applicable) |
|----|----------|-------------------------|
| | Address Latch Enabled, address placed on lower byte of data bus | Program Store Enable active low to fetch instruction from ROM if needed |

| T2 | Read/Write Control Signals Active | Data Transfer Occurs |
|----|-----------------------------------|----------------------|
| | RD or WR signal goes low depending on read/write operation | Actual transfer happens between microcontroller and external RAM during this phase |

请注意，实际应用中的波形会更加复杂一些，并且可能涉及到更多细节上的变化，比如具体的电平高低时间长度等参数调整以适应不同速度等级下的外围设备需求。

T1: 取指周期
ALE 高电平 -> 地址锁存使能，低字节地址置于数据总线
PSEN 低电平（如果适用）-> 程序存储允许，当需要从ROM获取指令时生效

T2: 执行周期
RD 或 WR 控制信号变为低电平取决于正在进行的是读还是写操作
此时发生真正的数据交换活动，微控制器与外部RAM间传递数据