MIS二极管电流电压图

MIS（Metal-Oxide-Semiconductor）二极管，也称为绝缘栅场效应晶体管（Insulated Gate Field-Effect Transistor，IGFET）的沟道区域，通常指的是在绝缘体上形成氧化层的金属-氧化物-半导体结构。这种类型的二极管并不是传统意义上的二极管，而是一个半导体器件，主要用于开关和电子放大等应用。

对于MIS二极管，其电流-电压(I-V)图通常表现出以下几个特点：
1. 正向导通：当正向电压施加在MOS结构上时，如果电压超过开启电压（Threshold Voltage, Vth），电流开始线性增加。这个阶段的I-V曲线通常是线性的，反映了二极管的欧姆定律特性。

2. 零偏压或截止区：当电压低于开启电压时，MIS二极管呈现高阻抗状态，几乎没有电流流过，因此在这个区域内，I-V图表现为一条接近于水平的直线。

3. 反向截止：当施加反向电压时，因为没有足够的能量让载流子穿透绝缘层，MIS二极管不会导通，电流非常小，甚至接近于零。

4. 反向击穿：如果反向电压超过某个阈值，可能会导致绝缘层击穿，此时电流会急剧增加，I-V曲线将不再是线性的，这通常被视为设备损坏的前兆。