为什么要擦除 if((WriteAddress&0x1FF)==0x000) FLASH_Erase_OnePage(WriteAddress);

在嵌入式系统中，对于Flash存储器的写操作通常是以页为单位进行的。在写入新的数据之前，需要先擦除目标页，以确保目标页中的所有数据均被清除。否则，如果直接进行写操作，可能会导致数据的混合或残留。

因此，这段代码的作用是在写入新数据之前，检查要写入的地址是否是目标页的起始地址。如果是起始地址，就调用FLASH_Erase_OnePage函数来擦除该页，以确保旧数据被清除，然后再进行写操作。这样可以保证每次写入的数据都是从空白页开始存储，避免了数据混合或残留的问题。

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while(index<image_Info.size){ WriteAddress=Application1Address+index; ReadAddress=Application2Address+index; if((WriteAddress&0x1FF)==0x000) FLASH_Erase_OnePage(WriteAddress); Flash_Read(ReadAddress,tmp_buf,FLASH_PAGE_SIZE); FLASH_Write(WriteAddress,tmp_buf,FLASH_PAGE_SIZE); index+=FLASH_PAGE_SIZE; };

你的代码段是一个循环，根据`image_Info`的大小进行迭代。在每次迭代中，你通过计算`WriteAddress`和`ReadAddress`来确定要写入和读取的内存地址。如果`WriteAddress`的低9位等于0x000，表示需要擦除该地址所在的一页。然后，你使用`Flash_Read`函数从`ReadAddress`读取数据，并使用`FLASH_Write`函数将数据写入到`WriteAddress`。最后，你更新`index`的值，将其增加一个`FLASH_PAGE_SIZE`，以便进行下一次迭代。

void flash_erase_range(uint32_t start_address, uint32_t end_address) { uint32_t flash_address = start_address; while (flash_address <= end_address) { volatile uint16_t *flash = (volatile uint16_t *)flash_address; flash[0x5555] = 0xAAAA; flash[0x2AAA] = 0x5555; flash[0x5555] = 0x8080; flash[0x5555] = 0xAAAA; flash[0x2AAA] = 0x5555; flash[0x0000] = 0x3030; __disable_irq(); delay_us(40000); __enable_irq(); flash_address += SectorSize; } } // 擦除0x200000到0x200005 void erase_flash_range() { uint32_t start_address = 0x200000; uint32_t end_address = 0x200005; flash_erase_range(start_address, end_address); }逐句解释代码

这段代码是用来擦除某一范围内的Flash存储器中的数据。下面是对代码的逐句解释：

void flash_erase_range(uint32_t start_address, uint32_t end_address) {

定义一个名为`flash_erase_range`的函数，该函数接受两个参数`start_address`和`end_address`，分别表示需要擦除的Flash存储器的起始地址和结束地址。

uint32_t flash_address = start_address;

定义一个名为`flash_address`的无符号32位整数变量，并将其初始化为`start_address`。

while (flash_address <= end_address) {

使用一个`while`循环遍历需要擦除的Flash存储器的地址范围。

volatile uint16_t *flash = (volatile uint16_t *)flash_address;

定义一个名为`flash`的指向`volatile uint16_t`类型的指针，并将其指向`flash_address`所表示的地址。

flash[0x5555] = 0xAAAA;
flash[0x2AAA] = 0x5555;
flash[0x5555] = 0x8080;
flash[0x5555] = 0xAAAA;
flash[0x2AAA] = 0x5555;
flash[0x0000] = 0x3030;

这几行代码是用来擦除Flash存储器的数据，其具体实现原理和细节可以参考相关的数据手册和文档。

__disable_irq();
delay_us(40000);
__enable_irq();

这三行代码是用来关闭中断、延时40000微秒（40毫秒），再开启中断。这么做是为了确保Flash存储器的数据已经被正确擦除。

flash_address += SectorSize;

将`flash_address`的值增加`SectorSize`的大小，以便遍历下一个Flash存储器的地址范围。

}

`while`循环的结束标志。

void erase_flash_range() {

定义一个名为`erase_flash_range`的函数，该函数没有任何参数。

uint32_t start_address = 0x200000;
uint32_t end_address = 0x200005;

定义两个无符号32位整数变量`start_address`和`end_address`，并将它们分别初始化为0x200000和0x200005，表示需要擦除的地址范围为0x200000到0x200005。

flash_erase_range(start_address, end_address);

调用`flash_erase_range`函数，并传递`start_address`和`end_address`作为参数，执行擦除操作。