6.为什么发光器件多采用III-V族或II-VI族的化合物半导体？

发光器件是依靠半导体的特性来实现电能向光能的转换，因此材料的光电性能是制约发光器件性能的重要因素。 III-V族和II-VI族化合物半导体具有优异的光电性能，是制作发光器件的理想材料。

具体来说， III-V族化合物半导体（如GaAs、InP等）和II-VI族化合物半导体（如ZnS、CdSe等）具有以下优点：

1. 具有较大的能隙，可以发出可见光和紫外光等高能量的光。

2. 具有较高的光电转换效率和较长的寿命，能够产生高亮度、长寿命的光。

3. 具有较高的载流子迁移率和较小的缺陷密度，有利于提高器件的性能和稳定性。

4. 可以通过掺杂来调节半导体的导电性质和光电性质，使其适应不同的应用需求。

综上所述，III-V族和II-VI族化合物半导体具有优异的光电性能，因此被广泛应用于发光器件制造中。