DRAM的section有多少个怎么计算

DRAM的section数取决于DRAM芯片的行数和列数。每个DRAM芯片都由若干个section组成。计算DRAM的section数需要知道每个DRAM芯片的行数、列数以及DRAM芯片的数量。

比如，如果一个系统中使用了4个DRAM芯片，每个DRAM芯片的行数为8192行，列数为1024列，那么DRAM的总section数就是：

8192行 × 1024列 × 4个DRAM芯片 = 33,554,432个section。

需要注意的是，这里的行数和列数是以2的幂次方的形式给出的，即8192行实际上是2的13次方，而1024列是2的10次方。因此，计算DRAM的section数时需要将行数和列数转换成2的幂次方形式。

相关问题

DRAM的section数如何计算

DRAM的section数是由DRAM芯片列数和行数决定的。每个DRAM芯片都由若干个section组成，在计算section数时，需要将每个DRAM芯片的section数相加。

具体计算公式如下：

section数 = DRAM芯片行数 × DRAM芯片列数 × DRAM芯片个数

其中，DRAM芯片行数和列数可以查看DRAM规格书或者DRAM芯片的数据手册，而DRAM芯片个数则由系统设计决定。

计算机组成原理DRAM动态

DRAM（动态随机存储器）是计算机组成原理中的一种存储器类型。它是一种以电容器为基本存储单元的存储器，用于存储数据和指令。DRAM的存储元是由电容器和一个访问线（位线）组成的。每个存储单元的电容器可以存储一个比特的数据。

DRAM的工作原理是通过给电容器充电或放电来表示存储的数据。当电容器充电时，表示存储的是1；当电容器放电时，表示存储的是0。为了保持数据的稳定性，DRAM需要定期刷新（refresh）操作，即重新给电容器充电，以防止电荷的丢失。

DRAM的访问速度相对较慢，因为需要进行刷新操作和电荷的读取和写入。为了提高DRAM的访问速度，通常会采用行列地址线和地址线复用技术。行列地址线用于确定要读写的存储单元的位置，而地址线复用技术则是将地址线分时使用，先输入行地址再输入列地址，以节约地址线的成本。然而，地址线复用技术会牺牲一部分速度，因为需要分两次输入地址。因此，地址线复用技术一般只在DRAM中使用，而SRAM（静态随机存储器）常用于Cache，因为它的速度较快，不适合使用地址线复用技术。