写出用Verilog-A对pmos管建模的代码
时间: 2024-01-22 16:20:21 浏览: 40
以下是一个简单的 Verilog-A 代码示例,用于建模 PMOS 管:
```
module pmos_model (
vds, // Drain-Source Voltage
vgs, // Gate-Source Voltage
id // Drain Current
);
parameter real wp = 1e-5; // Width of the PMOS transistor
parameter real lp = 1e-5; // Length of the PMOS transistor
parameter real tox = 1.5e-9; // Oxide layer thickness
parameter real u0 = 100e-4; // Mobility
parameter real vth0 = -0.6; // Threshold voltage
parameter real lambda = 0.05; // Channel length modulation
real vth = vth0 - 0.1 * (vgs - 1.5); // Calculate threshold voltage based on gate-source voltage
real vd = vds * (1 + lambda * vds); // Calculate effective drain voltage with channel length modulation
real vg = vgs - vth; // Calculate effective gate voltage
// Calculate drain current
id = (u0 * wp / lp) * (vg - 0.5 * vd) * vd;
endmodule
```
这个模型使用了一些常见的参数,例如 PMOS 管的宽度和长度、氧化层厚度、移动度、阈值电压等。它还考虑了通道长度调制效应,以更准确地计算 PMOS 管的电流。最后,根据有效的栅极电压和漏极电压计算出了 PMOS 管的漏极电流。
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