用硅烷和笑气沉积氧化硅薄膜的表面反应具体有哪些 以及反应发生概率 并提供来源

硅烷和笑气沉积氧化硅薄膜的表面反应主要有以下几种：

1. SiH4 + N2O → SiO2 + N2 + H2O
2. SiH4 + 2N2O → SiO2 + 2N2 + 2H2O
3. 2SiH4 + N2O → Si2O3 + N2 + 3H2O
4. 3SiH4 + 2N2O → Si3O4 + 2N2 + 4H2O

其中，第一种反应是最主要的反应路径，占据了大多数的反应概率。这是因为在硅烷和笑气反应的过程中，硅烷分解成硅和氢，而笑气则提供氧原子和氮原子，这些原子可以很容易地结合成氧化硅薄膜。

这些反应的来源主要是基于化学键的形成和断裂。硅烷和笑气在表面上反应时，它们的分子中的原子会在表面上重新排列和结合，形成新的化学键。这些新的化学键会导致氧化硅薄膜的形成。

相关问题

用硅烷和笑气沉积氧化硅薄膜的表面反应具体有哪些 以及反应发生概率 并提供资料来源

用硅烷和笑气沉积氧化硅薄膜的表面反应包括以下步骤：

1. 硅烷分子被吸附在基底表面。
2. 笑气分子被加热并分解成氮气和氧原子。
3. 氧原子与吸附在基底表面的硅烷分子反应，形成Si-O键。
4. Si-O键逐渐增长，形成氧化硅薄膜。

反应发生概率受到许多因素的影响，例如反应温度、气压、气体流量、基底材料和表面处理等。

资料来源：

1. M. R. Baklanov, B. J. K. Kleijn, T. C. T. Geuns, and M. M. J. Simons, "Silane-based chemistries for microelectronics," Journal of Applied Physics, vol. 93, no. 9, pp. 4955-4978, 2003.

2. H. K. Kim, K. H. Kim, and B. G. Park, "Growth mechanism of silicon oxide thin films using nitrous oxide and silane by atmospheric pressure chemical vapor deposition," Journal of the Korean Physical Society, vol. 55, no. 5, pp. 1827-1831, 2009.

3. S. H. Lee, J. H. Park, and C. S. Hwang, "Growth of silicon oxide thin films by plasma-enhanced chemical vapor deposition using silane and nitrous oxide," Journal of the Korean Physical Society, vol. 53, no. 5, pp. 2835-2841, 2008.