用硅烷和笑气沉积氧化硅薄膜的表面反应具体有哪些 以及反应发生概率 并提供来源

硅烷和笑气沉积氧化硅薄膜的表面反应主要有以下几种：

1. SiH4 + N2O → SiO2 + N2 + H2O
2. SiH4 + 2N2O → SiO2 + 2N2 + 2H2O
3. 2SiH4 + N2O → Si2O3 + N2 + 3H2O
4. 3SiH4 + 2N2O → Si3O4 + 2N2 + 4H2O

其中，第一种反应是最主要的反应路径，占据了大多数的反应概率。这是因为在硅烷和笑气反应的过程中，硅烷分解成硅和氢，而笑气则提供氧原子和氮原子，这些原子可以很容易地结合成氧化硅薄膜。

这些反应的来源主要是基于化学键的形成和断裂。硅烷和笑气在表面上反应时，它们的分子中的原子会在表面上重新排列和结合，形成新的化学键。这些新的化学键会导致氧化硅薄膜的形成。