VASP分子动力学计算中如何设置施加应力大小？是通过External pressure参数吗？

在VASP分子动力学计算中，可以通过设置外部应力来模拟压力或张力的影响。这可以通过在INCAR文件中设置`external_pressure`参数来实现。该参数用于指定外部应力的大小和方向，其单位为千巴。例如，要施加10千巴的应力，可以在INCAR文件中添加以下行：

external_pressure = 10.0    0.0    0.0

其中，第一个数字表示x方向上的应力大小，第二个数字表示y方向上的应力大小，第三个数字表示z方向上的应力大小。这里我们只施加了x方向上的应力，而其他两个方向上的应力被设置为0。

需要注意的是，当使用外部应力时，除了`external_pressure`参数之外，还需要设置`ISIF`参数，以指定需要优化的结构参数。通常，对于分子动力学计算，可以将`ISIF`设置为2或3，以确保晶体中的原子位置可以适应外部应力。

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VASP分子动力学计算中如何设置施加应力大小？是通过extra pressure参数吗

在VASP分子动力学计算中，可以通过设置extra pressure参数来施加外部应力。extra pressure参数是VASP中一个非常重要的参数，它可以用来控制整个模拟系统的压力。该参数设置为正数，则表示施加的是拉伸应力，设置为负数，则表示施加的是压缩应力。

具体来说，extra pressure参数的取值应该与模拟系统的尺寸和温度有关。如果模拟系统比较小，那么extra pressure参数的值应该设置得比较小，否则会导致系统的变形过大。另外，如果模拟系统的温度比较高，那么extra pressure参数的值应该设置得比较大，以保证系统能够达到平衡状态。

需要注意的是，extra pressure参数设置的越大，对应的施加的应力就越大，这可能会导致系统的不稳定性增加，从而影响模拟结果的准确性。因此，需要根据实际情况进行合理的设置。

VASP分子动力学计算中如何施加应力大小？是通过INCAR中的参数设置吗？那该应力所对应的应变又如何计算？

在VASP分子动力学计算中，可以通过在INCAR文件中设置ISIF参数来施加应力。具体来说，ISIF参数控制了晶格常数和原子位置的优化方式，其中ISIF=2表示对晶格常数进行优化，同时施加外部应力；ISIF=3表示对晶格常数和原子位置进行优化，同时施加外部应力。

关于应力大小的设置，可以在INCAR文件中设置外部应力矩阵的值，即S_xx, S_yy, S_zz, S_xy, S_xz, S_yz六个参数。这些参数分别对应着外部应力矩阵的六个分量，可以根据需要设置其值。

而应力所对应的应变可以通过计算得到。在VASP中，可以通过设置IBRION=0和ISIF=2或3来进行静态计算，此时计算得到的POSCAR文件中包含了应变信息。具体来说，POSCAR文件中的第二行到第四行分别表示了晶格常数和晶格常数的三个主轴方向的应变。可以通过计算均方根平均值来得到等效应变。