stm32内部flash读写次数

STM32内部Flash的读写次数是有限制的。具体的读写次数取决于芯片型号和具体使用情况，不同的型号和使用情况下，Flash的寿命会有所不同。

一般来说，STM32内部Flash的寿命是以“擦除次数”来计算的。每次擦除操作都会降低Flash的寿命，因此建议尽可能减少Flash的擦除次数，以延长Flash的使用寿命。

为了减少Flash的擦除次数，可以采用以下几种方法：

1. 尽可能减少对Flash的写入操作，尤其是频繁写入同一块Flash区域的数据。

2. 将频繁变化的数据存储在RAM中，而不是Flash中。

3. 合理使用Flash的擦除功能，尽可能将多个擦除操作合并成一个操作，以减少擦除次数。

总之，合理使用STM32内部Flash，可以有效延长其使用寿命。