晶圆CP测试包含那些测试

晶圆CP测试通常包含以下几种测试：

1. DC参数测试：包括电阻、电容、电感等器件的直流参数测试，如静态电流、漏电流、电压、电阻等，用于评估器件的基本性能。

2. 动态参数测试：包括晶体管的电流增益、开关速度、噪声系数等参数的测试，用于评估器件的动态性能。

3. 时序参数测试：包括芯片内时钟、时序和同步等功能的测试，用于评估器件的时序性能。

4. 逻辑功能测试：包括逻辑门、寄存器、存储器等逻辑器件的测试，用于验证芯片的逻辑功能是否符合要求。

5. 边缘率测试：测试器件输出信号的上升时间、下降时间等参数，用于评估信号的稳定性和可靠性。

6. 温度测试：测试芯片在不同温度下的电学参数，以确定芯片在不同工作条件下的性能和可靠性。

通过以上测试，可以对芯片的电学参数进行全面评估，发现潜在的问题和缺陷，并及时进行修复或处理，从而提高芯片的质量和可靠性。