饱和导通时绝缘栅型场效应管呈现什么特性
时间: 2024-03-28 21:41:09 浏览: 18
当绝缘栅型场效应管(IGFET)处于饱和导通状态时,栅极电压高于临界电压,使得通道完全形成,而且其沟道电阻很小,因此可以看作是一种低电阻接通的开关。此时,IGFET的漏极电流最大,且约为恒定值,而其栅极电流为零。同时,IGFET的漏极-源极电压取决于电路中的负载电阻,因此其输出电压可以被控制。总之,饱和导通时的IGFET类似于一个低电阻的开关,其输出电压可以被控制。
相关问题
场效应晶体管工作原理
场效应晶体管(FET)是一种电压控制型半导体器件,其工作原理与双极型晶体管有所不同。FET只有多数载流子参与导电,因此也被称为单极型晶体管。FET具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,已经成为双极型晶体管和功率晶体管的竞争对手。
FET主要有两种类型:结型场效应管(JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(MOS-FET)。JFET因为有两个PN结而得名,而MOS-FET则是指金属-氧化物-半导体场效应管。在MOS-FET中,最常见且广泛应用的是MOS场效应管,即金属-氧化物-半导体场效应管。此外,还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管,以及最近问世的πMOS场效应管和VMOS功率模块等。
根据沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型FET可以分为沟道型和P沟道型。同时,FET还可以根据导电方式分为耗尽型和增强型。结型场效应管都属于耗尽型,而绝缘栅型场效应管则既有耗尽型又有增强型。
总结起来,FET是一种电压控制型半导体器件,它仅通过多数载流子参与导电。具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。FET主要有结型场效应管和MOS场效应管两种类型,其中MOS场效应管应用最为广泛。<span class="em">1</span><span class="em">2</span><span class="em">3</span>
#### 引用[.reference_title]
- *1* [场效应管是什么?场效应管工作原理](https://download.csdn.net/download/weixin_38556737/12608051)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"]
- *2* *3* [场效应管工作原理详解](https://blog.csdn.net/qq_37971227/article/details/129162633)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v93^chatsearchT3_2"}}] [.reference_item style="max-width: 50%"]
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n沟道mos管工作原理
引用\[2\]:对于N沟道增强型MOSFET而言,只要UGS>UGS(th),就会出现反型层,也就是在S、D两个高浓度掺杂区之间出现N区,N沟道由此得名。
引用\[3\]:MOS管的英文全称叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体型场效应管,属于场效应管中的绝缘栅型。因此,MOS管有时被称为绝缘栅场效应管。在一般电子电路中,MOS管通常被用于放大电路或开关电路。在N沟道增强型MOSFET中,当栅极电压高于阈值电压时,形成了N沟道,电流可以从漏极流向源极,实现导通。
综上所述,N沟道MOS管的工作原理是通过在P型半导体衬底上形成N沟道,当栅极电压高于阈值电压时,N沟道形成,电流可以从漏极流向源极,实现导通。
#### 引用[.reference_title]
- *1* *3* [MOS管基础知识](https://blog.csdn.net/Hungryday/article/details/38078761)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^koosearch_v1,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
- *2* [N沟道与P沟道增强型MOS管电压、原理、导通条件!](https://blog.csdn.net/TaidL/article/details/113933384)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^koosearch_v1,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item]
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