写一个p型氮化镓器件的silvaco代码

以下是一个简单的p型氮化镓器件的Silvaco TCAD代码示例，用于模拟p-GaN材料的基础物理特性和器件行为：

# 设定仿真参数
device Atlas
title p-GaN HEMT
echo on

# 定义网格参数
mesh auto
x.m L=0.5u N=50
y.m L=0.5u N=50
z.m L=1u N=100

# 定义材料参数
material GaN
mobility 2.5e2
dos effective-mass 0.2
ionization none
acceptor p 1e18

# 定义器件结构
structure
  layer 1 p-GaN
    thickness 0.5u
    doping acceptor
  layer 2 undoped GaN
    thickness 1u
  contact source n
    location z.max
  contact drain n
    location z.min
  
# 定义模拟的物理过程
mode space-charge
solver precise
output none
command iv

该代码使用Silvaco的Atlas工具，定义了一个简单的p-GaN HEMT器件结构，包含一个n型源极和一个n型漏极。在定义器件结构之前，代码设置了网格参数和材料参数，以便在仿真过程中对p-GaN材料进行适当的建模。与前面的代码不同，这个代码定义了p-GaN材料的电离和掺杂，以便在模拟中考虑p型掺杂的影响。定义模拟的物理过程与前面相同，空间电荷模式，求解器为精确求解器，输出为无，仿真命令为IV。通过这个代码，可以模拟p-GaN器件的基本电性能，例如电流电压特性、漏电流、阈值电压等等。