半导体静态RAM依据电容存储电荷原理存储信息

半导体静态RAM（Static Random Access Memory，简称SRAM）是一种基于电容存储电荷原理来存储信息的半导体存储器。它由多个存储单元组成，每个存储单元包含一个存储电容和一对开关管（即MOSFET管）。其中一个管作为传输管，用于从存储电容中读取数据；另一个管作为写入管，用于将数据写入存储电容中。

当SRAM存储单元中的传输管打开时，存储电容中的电荷会被传输到读取电路中进行读取。当写入管打开时，外部数据信号会被传输到存储电容中，改变其中的电荷状态，从而实现数据的写入。

由于SRAM采用了电容存储电荷的原理，因此它的读写速度非常快，读写功耗也比较低，但相比于动态RAM（DRAM），SRAM的存储密度较低，成本也较高。因此，SRAM通常被用于高速缓存、寄存器等需要快速读写的场合。