芯片10万次烧写实验程序例子 具体 stm32

以下是一个基于STM32的示例程序，用于对Flash进行10万次烧写实验。该程序使用了HAL库进行编写。

首先，需要在STM32CubeMX中配置Flash的相关参数。在“Project Manager”界面中，选择“Code Generator”，然后在“Flash Size”下选择实际芯片的Flash大小。接着，选择“Initialization”选项卡，启用“Flash”并选择“FLASH_IAP”的模式。

接下来，在代码中添加以下头文件：

#include "stm32f4xx_hal.h"
#include "stm32f4xx_hal_flash.h"
#include "stm32f4xx_hal_gpio.h"

在main()函数中，添加以下代码：

// 初始化HAL库
HAL_Init();

// 配置系统时钟
SystemClock_Config();

// 初始化GPIO口
GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStruct;
__HAL_RCC_GPIOA_CLK_ENABLE();
GPIO_InitStruct.Pin = GPIO_PIN_5;
GPIO_InitStruct.Mode = GPIO_MODE_OUTPUT_PP;
GPIO_InitStruct.Pull = GPIO_NOPULL;
GPIO_InitStruct.Speed = GPIO_SPEED_FREQ_LOW;
HAL_GPIO_Init(GPIOA, &GPIO_InitStruct);

// 循环进行10万次烧写实验
for (int i = 0; i < 100000; i++) {
  // 读取当前Flash的数据
  uint32_t data = *(uint32_t*)0x08080000;

  // 判断数据是否为0xFFFFFFFF
  if (data != 0xFFFFFFFF) {
    // 如果不是，说明Flash已经被烧写过，点亮LED
    HAL_GPIO_WritePin(GPIOA, GPIO_PIN_5, GPIO_PIN_SET);
  }

  // 擦除Flash的第一个扇区
  FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_0, FLASH_VOLTAGE_RANGE_3);

  // 写入数据到Flash
  uint32_t write_data = 0x12345678;
  HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, 0x08080000, write_data);
}

// 程序结束，LED熄灭
HAL_GPIO_WritePin(GPIOA, GPIO_PIN_5, GPIO_PIN_RESET);

在循环中，程序首先读取Flash的数据，如果数据不为0xFFFFFFFF，则说明Flash被烧写过，点亮LED。接着，程序擦除Flash的第一个扇区，并将数据0x12345678写入Flash。重复进行10万次烧写实验后，LED熄灭，程序结束。

注意：在进行Flash擦除和编程操作时，需要先禁止全局中断（__disable_irq()），操作完成后再开启全局中断（__enable_irq()）。