APM32F103VCT6flash模拟eeprom读写例程

以下是使用APM32F103VCT6芯片的Flash来模拟EEPROM进行读写的例程：

#include "stm32f10x.h"

#define EEPROM_START_ADDRESS  ((uint32_t)0x08004000) // Flash起始地址
#define EEPROM_END_ADDRESS    ((uint32_t)0x08008000) // Flash结束地址
#define EEPROM_PAGE_SIZE      ((uint32_t)FLASH_PAGE_SIZE) // Flash页大小

void EEPROM_WriteByte(uint32_t address, uint8_t data) {
  // 检查地址是否在范围内
  if (address < EEPROM_START_ADDRESS || address > EEPROM_END_ADDRESS) {
    return;
  }

  // 解锁Flash
  FLASH_Unlock();

  // 清除之前的错误标志
  FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);

  // 擦除地址所在的Flash页
  uint32_t pageAddress = address & ~(EEPROM_PAGE_SIZE - 1);
  FLASH_ErasePage(pageAddress);

  // 写入数据
  FLASH_ProgramByte(address, data);

  // 锁定Flash
  FLASH_Lock();
}

uint8_t EEPROM_ReadByte(uint32_t address) {
  // 检查地址是否在范围内
  if (address < EEPROM_START_ADDRESS || address > EEPROM_END_ADDRESS) {
    return 0xFF;
  }

  // 读取数据
  return *((uint8_t*)address);
}

这个例程中，`EEPROM_WriteByte`函数用于向指定地址写入一个字节的数据，`EEPROM_ReadByte`函数用于从指定地址读取一个字节的数据。注意，这里使用了Flash的页擦除操作来模拟EEPROM的擦除操作。请根据自己的需求修改起始地址和结束地址，以及Flash页大小。