MOS管工作在饱和区的介绍

时间: 2023-05-31 14:01:26 浏览: 73
MOS管在饱和区的工作状态是指MOS管的栅极电压已经高于其阈值电压,且其漏极电流已经达到最大值,此时MOS管的电阻很小,相当于一个导体,可以将电流从漏极引出。在饱和区,MOS管的工作状态是稳定的,且输出电压与输入电压之间存在着一定的线性关系。饱和区是MOS管的一种常见工作状态,比如用于放大、开关、逆变等电路中,都需要MOS管工作在饱和区。
相关问题

mos管开关工作原理图

MOS管(MOSFET)是一种常用的场效应管,由三个控制电极:栅极(G),漏极(D),源极(S)组成。其开关工作原理图如下: 在MOS管工作时,栅极的电压会控制漏极-源极通道的导通与截止。栅极和源极之间的电压称为栅极-源极电压(VGS),漏极和源极之间的电压称为漏极-源极电压(VDS)。 当VGS低于阈值电压时,MOS管处于截止状态,无法导电。此时,无论VDS如何变化,通道内没有电子传导,电流非常小。 当VGS高于阈值电压时,MOS管开始导通,可以作为开关进行工作。当VDS也很小的时候,MOS管的导通电阻非常小,可以通过大电流。此时,MOS管处于饱和区,开关为"开"的状态。 然而,当VDS增大到一定程度时,MOS管的导通电阻会变得较大,此时MOS管的电流不能再继续增大。此时,MOS管处于放大区,开关为"关"的状态。 总结起来,MOS管的开关工作原理是通过栅极-源极电压的控制来控制漏极-源极通道的导通与截止。栅极-源极电压低于阈值电压时,MOS管截止,不能导通;栅极-源极电压高于阈值电压时,MOS管导通,可以作为开关进行工作。同时,漏极-源极电压的大小也会影响MOS管的导通电阻和工作状态。

mos管的三个工作状态

### 回答1: MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管,具有三个工作状态:截止状态、放大状态和饱和状态。在这三个状态中,MOS管的漏极-源极电路可以表现出不同的电特性。 截止状态是MOS管的关闭状态,此时MOS管的漏极-源极电路处于高阻状态,并且没有电流通过。在这个状态下,门极电压低于阈值电压,导致通道断开。 当门极电压高于阈值电压时,MOS管进入放大状态。此时,MOS管的漏极-源极电路具有线性放大的特性,即电路中存在电流增益和电压增益,可以用于放大小信号。 当门极电压进一步升高到饱和电压时,MOS管进入饱和状态。此时,MOS管的漏极-源极电路中的电流达到最大值,漏极-源极电路的电阻变得很小,MOS管的电路中不存在电压增益。在饱和状态下,MOS管的漏极-源极电路处于稳定的状态,不会随着输入信号的变化而变化。 因此,MOS管在不同的工作状态下可以拥有不同的电特性,可以应用于不同的电路及系统中。 ### 回答2: MOS管(金属-氧化物-半导体场效应管)是一种场效应管,它是由金属逆形接触的半导体层和电子控制氧化物层组成的。MOS管的三个工作状态是截止状态、线性放大状态和饱和状态。 第一个工作状态是截止状态。当MOS管的栅极电压低于某个临界电压值时,MOS管的输出电流将极小或为零。这种状态称为截止状态。在这种状态下,栅极与源极之间的电场太小,无法控制通道中的电子流,因此MOS管不能传导信号或功率。 第二个工作状态是线性放大状态。当MOS管的栅极电压高于截止状态但低于饱和状态时,MOS管的输出电流将与栅极-源极电压呈线性关系。这种状态称为线性放大状态。在这种状态下,栅极与源极之间的电场足够强,可以控制通道中的电子流,以实现信号或功率的放大。 第三个工作状态是饱和状态。当MOS管的栅极电压高于某个临界电压值时,MOS管的输出电流将保持不变,而增加栅极电压将无法产生更多的输出电流。这种状态称为饱和状态。在这种状态下,MOS管的通道已经被完全形成,达到了最大的电子流,无法进一步放大。 总之,MOS管的三个工作状态分别是截止状态、线性放大状态和饱和状态,这些状态是由栅极电压控制的。这种控制使MOS管能够在各种电子设备中发挥不同的作用。 ### 回答3: MOS管是一种场效应晶体管,具有三个不同的工作状态:弱倒型、增强型和耗尽型。 弱倒型状态是MOS管的非线性工作状态之一,它与传统的晶体管不同。在弱倒型条件下,MOS管的栅电压较低,电荷在沟道和栅之间形成一定的电压,沟道区中的原子电子受到电压的影响发生漂移,改变形成的通道深度和电导率,从而确定MOS管的电流状态。 增强型是MOS管最常见的工作状态之一。在这个状态下,正常的沟道中已经不再有任何电荷存在,而栅电压的变化可以控制电流的大小。当栅电压为正时,沟道底部会产生一些电子,这些电子会向底座和漏极方向运动,从而形成一个越来越大的电路,电路阻抗越来越小,电路的导通也会越来越明显。 最后是耗尽型状态,在这种状态下,沟道中已经没有任何自由电子可用。当栅电压高于MOS管保护栅电压时,沟道区与MOS管的漏极区断开,停止有电子流通过,因此,有时也称其为关闭状态。 总之,MOS管具有不同的工作状态,分别表示了电路中的不同电流状态。工程师可根据不同的工作状态来使用MOS管,从而实现更好的电路设计并提高电路的性能。

相关推荐

速度饱和效应是指当电子在mos晶体管中运动速度达到极限时出现的现象。当晶体管中的电压增加时,电场强度也随之增加,加速了载流子的移动速度。然而当电场强度达到某一特定值后,电子与晶格之间发生碰撞,从而减慢了其运动速度,导致速度饱和效应的发生。 速度饱和效应对mos晶体管IV特性可能产生以下影响: 首先,速度饱和效应导致了晶体管的饱和区的伏安特性曲线的弯曲。在速度饱和的情况下,电子的移动速度不再线性增加,而是趋于饱和,因此在饱和区的电流增加不再与电压成比例,而是呈现出饱和特性。 其次,速度饱和效应会降低晶体管的跨导。在速度饱和时,电子的移动速度不再随电压变化,因此增加输入电压对输出电流的影响变得较小。这会导致晶体管的跨导减小,即输入电压变化对输出电流的增益减小。 最后,速度饱和效应会增加晶体管的截止电压。由于速度饱和效应的存在,晶体管的电流随着电压增加会趋于饱和,这意味着晶体管需要更高的电压才能使其进入饱和状态。因此,速度饱和效应会增加晶体管的截止电压。 综上所述,速度饱和效应对mos晶体管的IV特性产生明显影响,包括饱和区特性曲线的弯曲、跨导的降低和截止电压的增加。研究和了解这些影响可以帮助我们更好地理解和设计mos晶体管在电子器件中的应用。
### 回答1: MOS(金属氧化物半导体)FET(场效应晶体管)中,栅极驱动电流的计算涉及到栅极电流和通道电流。 栅极电流(Ig)是通过栅极与源极之间的电流,它可以通过以下公式计算: Ig = (Vgs - Vth) * Cg * dVgs / dt 其中,Vgs是栅极与源极之间的电压,Vth是阈值电压,Cg是栅极的等效电容,dVgs / dt是栅极电压的变化率。 通道电流(Id)是从漏极流过的电流,它可以通过以下公式计算: Id = (Kn / 2) * (W / L) * (Vgs - Vth)² 其中,Kn是沟道电流调制系数,W是通道的宽度,L是通道的长度,Vgs是栅极与源极之间的电压,Vth是阈值电压。 因此,栅极驱动电流可以通过栅极电流和通道电流相加得到: Ig_drive = Ig + Id 栅极驱动电流计算的结果可以用于评估MOSFET的性能和工作状态。通常情况下,栅极驱动电流越大,MOSFET的开启速度越快,但也会带来更高的功率消耗和热量产生。因此,在实际应用中,需要根据具体要求来选择适当的栅极驱动电流。 ### 回答2: MOSFET (金属-氧化物-半导体场效应晶体管) 的栅极驱动电流计算主要是通过栅极电流公式进行。栅极电流(Ig)主要由栅极电压(Vg)、漏极电流(Id)和漏极电流的增强机制来决定。 栅极电流可以通过以下公式来计算: Ig = (Vg - Vth) * K, 其中,Vg 是栅极电压,Vth 是沟道阈值电压,K 是MOSFET的增强系数。 漏极电流(Id)由漏极电压(Vd)和漏极电流公式来计算,根据MOSFET工作区域不同可以分为三种情况计算: 1. 在弱反型工作区和互补工作区(Vg < Vth)中: Id = 0. 2. 在饱和工作区(Vg > Vth 且 Vd >= (Vg - Vth))中: Id = 0.5 * K * (Vg - Vth)^2. 3. 在线性工作区(Vg > Vth 且 Vd < (Vg - Vth))中: Id = K * ((Vg - Vth) * Vd - 0.5 * Vd^2). 通过计算漏极电流(Id)和栅极电流(Ig),就可以得到栅极驱动电流的值。注意,在实际中,还需要考虑温度、器件的尺寸参数以及材料特性等因素对电流计算的影响。 综上所述,MOSFET的栅极驱动电流计算主要是通过栅极电流公式来计算,该公式涉及栅极电压、漏极电流和漏极电流的增强机制。在不同的工作区域中,电流计算有所不同。加入其他相关参数后,就可以得到准确的栅极驱动电流值。 ### 回答3: MOS栅极驱动电流可以通过多种方法进行计算。以下是其中一种常见的计算方法。 MOS场效应管是一种三端器件,由栅极、漏极和源极组成。在正常工作状态下,栅极电压控制了漏极和源极之间的电流流动。 根据MOS场效应管的工作原理,可以通过以下公式计算栅极驱动电流(ID): ID = (μCox / 2) * [(Vgs - Vth)^2 - (Vgs - Vth)*(Vgs - Vth0)] 其中,μCox是比例常数,表示了MOS管的迁移率和氧化层电容的乘积;Vgs是栅极与源极之间的电压;Vth是阈值电压;Vth0是与扩散电势有关的常数。 这个公式的意义是,栅极驱动电流是由栅极与源极之间的电压决定的,同时还受到阈值电压和扩散电势的影响。 需要注意的是,计算栅极驱动电流时,还需要知道栅极和源极之间的电压以及MOS管的参数。这些参数包括迁移率(μ)、氧化层电容(Cox)和阈值电压(Vth)等。 综上所述,MOS栅极驱动电流的计算是根据MOS管的工作原理和相关参数进行的。根据上述公式,我们可以通过栅极与源极之间的电压、阈值电压以及其他相关参数,来计算出MOS栅极驱动电流。
直流无刷电机驱动电路有多种设计方案。其中一种常见的设计是使用BLDC无刷直流电机驱动电路。这种电路采用三相完全一样的驱动电路,其中每个相都包含高速光耦、MOS管驱动IC和MOS管。\[1\]另一种常见的设计是三相全桥驱动电路,该电路使用六个N沟道的MOSFET管作为功率输出元件。驱动桥的上臂由Q1/Q2/Q3组成,下臂由Q4/Q5/Q6组成。\[2\]在选择三极管时,不能选用常用的小信号三极管,因为它们的耐压和导通电流较低。一种常用的选择是SS8050三极管,其阻值的选择无特别要求,只要使三极管工作在饱和区即可。\[3\]总的来说,直流无刷电机驱动电路的设计需要考虑到电机的功率需求、电流和电压的控制以及保护电路的设计等因素。 #### 引用[.reference_title] - *1* [BLDC无刷直流电机驱动电路-硬石电子](https://blog.csdn.net/wsq_666/article/details/121072743)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insertT0,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] - *2* *3* [五个无刷马达驱动电路分享!](https://blog.csdn.net/weixin_40509411/article/details/125434476)[target="_blank" data-report-click={"spm":"1018.2226.3001.9630","extra":{"utm_source":"vip_chatgpt_common_search_pc_result","utm_medium":"distribute.pc_search_result.none-task-cask-2~all~insert_cask~default-1-null.142^v91^insertT0,239^v3^insert_chatgpt"}} ] [.reference_item] [ .reference_list ]
### 回答1: STM32F407VET6是一款ARM Cortex-M4内核的32位微控制器。在这个压缩包中可能包含了与STM32F407VET6的互补SPWM驱动、死区处理、PID算法、ADC和TFT LCD显示有关的代码和文档。 互补SPWM(Symmetrical Pulse Width Modulation)是一种PWM技术,通常用于驱动三相交流电机。它通过控制三相电机各个绕组上的电流交替切换,实现电机的转动控制。 死区是为了避免晶闸管或MOS管等电子开关元件在高频率PWM输出过程中出现两个开关同时导通的情况。死区的设计能够确保高频率PWM正常输出,提高系统的可靠性。 PID(Proportional-Integral-Derivative)是一种常用的控制算法,常用于控制系统中。它基于误差的比例、积分、微分,并结合前几次的控制效果作为修正,实现控制系统的准确控制。 ADC(Analog to Digital Converter)是模数转换器,可以实现将模拟信号转换为数字信号,从而方便处理和处理。 TFT LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display)是一种液晶显示屏技术,广泛应用于各种电子设备中。它具有高分辨率、高色彩饱和度和广视角等优点,适用于多种应用场景。 通过这个压缩包,我们可以获取到STM32F407VET6的互补SPWM驱动相关的代码和文档,了解如何实现高效的电机控制。同时,死区处理的代码和文档可以帮助我们避免开关元件导通问题,提高系统的可靠性。PID算法的代码和文档可以用于控制系统的准确控制。ADC相关的代码和文档可以帮助我们了解如何将模拟信号转换为数字信号。最后,TFT LCD显示相关的代码和文档可以帮助我们实现在STM32F407VET6上显示各种图形和文字的功能。 ### 回答2: 首先,"stm32f407vet6"是一款由STMicroelectronics开发的32位微控制器。该控制器具有高性能和丰富的外设,被广泛应用于工业控制、嵌入式系统和数字信号处理等领域。 "互补SPWM"是一种用于交流电机驱动的技术,通过控制PWM信号的相位和占空比来实现对电机的速度和转向的控制。SPWM代表正弦脉宽调制,是一种常用的交流电机控制方法之一。 "死区"是在SPWM控制中的一个概念,用于防止电机驱动电路中的两个开关同时导通,产生短路。通过在两个开关之间插入一个时间间隔,称为死区,可以避免这种情况的发生。 "PID"是一种常用的控制算法,用于实现对系统的准确控制。PID代表比例(Proportional)、积分(Integral)和微分(Derivative),通过调整这三个参数可以实现系统的稳定和快速响应。 "ADC"是模拟到数字转换器的缩写,用于将模拟信号转换为数字信号,以便微控制器进行处理。通过ADC可以实现对外部传感器的读取和测量。 "TFT LCD"是薄膜晶体显示屏的一种类型,具有高分辨率、鲜艳的色彩和广视角等特点。通过控制器上的相应接口,可以实现图形和文本的显示。 "显示.zip"是指将以上所述实现互补SPWM、死区、PID、ADC和TFT LCD显示的相关源代码和工程文件打包压缩成.zip格式文件,方便传输和共享。 综上所述,“stm32f407vet6互补SPWM死区PID ADC TFT LCD显示.zip”可以理解为一个包含了上述功能的源代码和工程文件的压缩文件,这些功能通过STM32F407VET6微控制器实现了互补SPWM控制、死区保护、PID控制、ADC读取和TFT LCD显示等功能。
.doc
ZVS即所谓零电压开关(ZVS)/零电流开关(ZCS)技术,或称软开关技术,小功率软开关电源效率可提高到80%~85%。接下来将详解介绍zvs原理及如何自制zvs的升压电路图以及它的操作步骤。 ZVS经典原理: 1. 上电瞬间,电源电压流经R1,R2,经过ZD1,ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1,MOS2的GS极,因此两个MOS管同时开通。 2. 因为元件参数的离散性(例如:MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等),导致两管DS电流在上电瞬间就不相同。假设下方的MOS管MOS2流过的电流稍大。即IL3》IL2。因为L2,L3是在同一磁芯上绕制,本身存在磁耦合,所以,对磁芯的励磁电流为IL2,IL3之和。之前提到IL3》IL2,而且从抽头看去,IL2,IL3的电流方向相反,所以对磁芯的励磁电流为Ip1=IL3-IL2。这样就可以等效为仅有L3线圈产生励磁作用(有一部分抵消掉L2的励磁)。明白这点以后,继续往下分析。 3. 见图1,在上电瞬间,L2,L3中的等效励磁电流Ip1用红色线条表示,因为具有相同的磁路,Ip1将在L2上产生一个互感电流,图中用蓝色线条表示,L2 L3与C1构成并联谐振,这个互感电流的方向同IL2相反,如此正反馈造成的结果是IL2越来越小,最终可单纯看做只有L3参与励磁。 4. 与此同时,B点电压升高,D1截止,C点电压保持12V,MOS2继续保持开通。因为MOS2开通时VDS很小,A点近似接地,D2导通,将D点电位强行拉低至0.7V左右,MOS1失去VGS而截止。 5. 随着时间推移,L3对磁芯的励磁最终达到磁饱和,大家注意,此时蓝色线条的电流因磁芯饱和失去互感刚好减到0,MOS1的DS上电压为零。而L3失去电感量而近似于一个仅几mΩ的纯电阻,瞬间大电流全部叠加在MOS2的导通电阻Ron上,使A点电位瞬间升高,D2截止,D点电位恢复至12V,MOS1获得VGS而导通(在VDS=0的情况下导通,故称ZVS)。继而B点近似接地,C点电压降到0.7V,MOS2截止,MOS1保持导通。当L2励磁达到饱和时电路状态再次发生翻转,重复第4过程。 6. 整个过程中,翻转的时间由谐振电容C1的容量和L2 L3共同决定,因为有C1构成谐振,初级电压波形呈完美正弦波,谐波分量大大减小,漏感的影响不复存在,因此变比等于匝比。L1为扼流电感,利用电感电流的不可突变特性,保证磁饱和瞬间MOS管的DS极不会流过巨大浪涌而损坏。这也是为什么不接此电感或者感量太小时,电路空载电流会增大,而且MOS管发热严重的原因。 因为利用了磁饱和原理,所以在磁芯工作在滞回线1,3象限的饱和临界点之间,磁芯的储能作用得以最大发挥,传递功率相当大。
application/octet-stream
模电学习的两个重点 凡是学电的,总是避不开模电。 上学时老师教的知识,毕业时统统还给老师。毕业后又要从事产品设计,《模电》拿起又放下了 n 次,躲不开啊。毕业多年后,回头望,聊聊模电的学习,但愿对学弟学妹有点帮助。 通观整本书,不外是,晶体管放大电路、场管放大电路、负反馈放大电路、集成运算放大器、波形及变换、功放电路、直流电源等。然而其中的重点,应该是场管和运放。何也? 按理说,场管不是教材的重点,但目前实际中应用最广,远远超过双极型晶体管(BJT)。场效应管,包括最常见的MOSFET,在电源、照明、开关、充电等等领域随处可见。 运放在今天的应用,也是如火如荼。比较器、ADC、DAC、电源、仪表、等等离不开运放。 1、场效应管是只有一种载流子参与导电的半导体器件,是一种用输入电压控制输出电流的半导体器件。有 N 沟道和 P 沟道两种器件。有结型场管和绝缘栅型场管 IGFET 之分。IGFET 又称金属-氧化物-半导体管 MOSFET。MOS 场效应管有增强型 EMOS 和耗尽型 DMOS 两大类,每一类有 N 沟道和 P 沟道两种导电类型。 学习时,可将 MOSFET 和 BJT 比较,就很容易掌握,功率 MOSFET 是一种高输入阻抗、电压控制型器件,BJT 则是一种低阻抗、电流控制型器件。再比较二者的驱动电路,功率 MOSFET 的驱动电路相对简单。BJT 可能需要多达 20% 的额定集电极电流以保证饱和度,而 MOSFET 需要的驱动电流则小得多,而且通常可以直接由 CMOS 或者集电极开路 TTL 驱动电路驱动。其次,MOSFET 的开关速度比较迅速,MOSFET 是一种多数载流子器件,能够以较高的速度工作,因为没有电荷存储效应。其三,MOSFET 没有二次击穿失效机理,它在温度越高时往往耐力越强,而且发生热击穿的可能性越低。它们还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。此外,MOSFET 具有并行工作能力,具有正的电阻温度系数。温度较高的器件往往把电流导向其它MOSFET,允许并行电路配置。而且,MOSFET 的漏极和源极之间形成的寄生二极管可以充当箝位二极管,在电感性负载开关中特别有用。 场管有两种工作模式,即开关模式或线性模式。所谓开关模式,就是器件充当一个简单的开关,在开与关两个状态之间切换。线性工作模式是指器件工作在某个特性曲线中的线性部分,但也未必如此。此处的“线性”是指 MOSFET 保持连续性的工作状态,此时漏电流是所施加在栅极和源极之间电压的函数。它的线性工作模式与开关工作模式之间的区别是,在开关电路中,MOSFET 的漏电流是由外部元件确定的,而在线性电路设计中却并非如此。 2、运放所传递和处理的信号,包括直流信号、交流信号,以及交、直流叠加在一起的合成信号。而且该信号是按“比例(有符号+或-,如:同相比例或反相比例)”进行的。不一定全是“放大”,某些场合也可能是衰减(如:比例系数或传递函数 K=Vo/Vi=-1/10)。 运放直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移(简称输入失调电压温漂)、输入偏置电流、输入失调电流、输入失调电流温漂、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。 交流指标有开环带宽、单位增益带宽、转换速率SR、全功率带宽、建立时间、等效输入噪声电压、差模输入阻抗、共模输入阻抗、输出阻抗。 个人认为,选择运放,可以只侧重考虑三个参数:输入偏置电流、供电电源和单位增益带宽。

最新推荐

[原创]用L298驱动直流减速电机

起初我用4个N沟道IRF540N来做H桥驱动,发现H桥并不能输出12V电压给电机并且上桥避MOS很热,因为以前没有做过H桥后来查资料才知道是MOS管没有完全饱和导通再加上管子压降,所以输出电压不够。要想解决问题就必须提高...

模电基础最基础的教程了

MOS 场效应管有增强型 EMOS 和耗尽型 DMOS 两大类,每一类有 N 沟道和 P 沟道两种导电类型。 学习时,可将 MOSFET 和 BJT 比较,就很容易掌握,功率 MOSFET 是一种高输入阻抗、电压控制型器件,BJT 则是一种低...

数据预处理算法的研究与应用.docx

数据预处理算法的研究与应用.docx

ASME材料分类.pdf

ASME材料分类.pdf

《计算机组装与维护》课程培养方案..pdf

《计算机组装与维护》课程培养方案..pdf

代码随想录最新第三版-最强八股文

这份PDF就是最强⼋股⽂! 1. C++ C++基础、C++ STL、C++泛型编程、C++11新特性、《Effective STL》 2. Java Java基础、Java内存模型、Java面向对象、Java集合体系、接口、Lambda表达式、类加载机制、内部类、代理类、Java并发、JVM、Java后端编译、Spring 3. Go defer底层原理、goroutine、select实现机制 4. 算法学习 数组、链表、回溯算法、贪心算法、动态规划、二叉树、排序算法、数据结构 5. 计算机基础 操作系统、数据库、计算机网络、设计模式、Linux、计算机系统 6. 前端学习 浏览器、JavaScript、CSS、HTML、React、VUE 7. 面经分享 字节、美团Java面、百度、京东、暑期实习...... 8. 编程常识 9. 问答精华 10.总结与经验分享 ......

事件摄像机的异步事件处理方法及快速目标识别

934}{基于图的异步事件处理的快速目标识别Yijin Li,Han Zhou,Bangbang Yang,Ye Zhang,Zhaopeng Cui,Hujun Bao,GuofengZhang*浙江大学CAD CG国家重点实验室†摘要与传统摄像机不同,事件摄像机捕获异步事件流,其中每个事件编码像素位置、触发时间和亮度变化的极性。在本文中,我们介绍了一种新的基于图的框架事件摄像机,即SlideGCN。与最近一些使用事件组作为输入的基于图的方法不同,我们的方法可以有效地逐个事件处理数据,解锁事件数据的低延迟特性,同时仍然在内部保持图的结构。为了快速构建图,我们开发了一个半径搜索算法,该算法更好地利用了事件云的部分正则结构,而不是基于k-d树的通用方法。实验表明,我们的方法降低了计算复杂度高达100倍,相对于当前的基于图的方法,同时保持最先进的性能上的对象识别。此外,我们验证了我们的方�

下半年软件开发工作计划应该分哪几个模块

通常来说,软件开发工作可以分为以下几个模块: 1. 需求分析:确定软件的功能、特性和用户需求,以及开发的目标和约束条件。 2. 设计阶段:根据需求分析的结果,制定软件的架构、模块和接口设计,确定开发所需的技术和工具。 3. 编码实现:根据设计文档和开发计划,实现软件的各项功能和模块,编写测试用例和文档。 4. 测试阶段:对软件进行各种测试,包括单元测试、集成测试、功能测试、性能测试、安全测试等,确保软件的质量和稳定性。 5. 发布和部署:将软件打包发布,并进行部署和安装,确保用户可以方便地使用软件。 6. 维护和更新:对软件进行维护和更新,修复漏洞和Bug,添加新的特性和功能,保证

数据结构1800试题.pdf

你还在苦苦寻找数据结构的题目吗?这里刚刚上传了一份数据结构共1800道试题,轻松解决期末挂科的难题。不信?你下载看看,这里是纯题目,你下载了再来私信我答案。按数据结构教材分章节,每一章节都有选择题、或有判断题、填空题、算法设计题及应用题,题型丰富多样,共五种类型题目。本学期已过去一半,相信你数据结构叶已经学得差不多了,是时候拿题来练练手了,如果你考研,更需要这份1800道题来巩固自己的基础及攻克重点难点。现在下载,不早不晚,越往后拖,越到后面,你身边的人就越卷,甚至卷得达到你无法想象的程度。我也是曾经遇到过这样的人,学习,练题,就要趁现在,不然到时你都不知道要刷数据结构题好还是高数、工数、大英,或是算法题?学完理论要及时巩固知识内容才是王道!记住!!!下载了来要答案(v:zywcv1220)。

开集域自适应方法及其在靶点发现中的应用

9322基于开集域自适应的新靶点发现Taotao Jing< $,Hongfu LiuXiang,and Zhengming Ding<$†美国杜兰大学计算机科学系‡美国布兰代斯大学Michtom计算机科学学院网址:tjing@tulane.edu,hongfuliu@brandeis.edu,网址:www.example.com,zding1@tulane.edu摘要开集域自适应算法(OSDA)认为目标域包含了在外部源域中未观察到的新类别的样本不幸的是,现有的OSDA方法总是忽略了看不见的类别的信息的需求,并简单地将它们识别为“未知”集合而没有进一步的这促使我们通过探索底层结构和恢复其不可解释的语义属性来更具体地理解未知类别。在本文中,我们提出了一种新的框架,以准确地识别目标领域中的可见类别,并有效地恢复未见过的类别的语义属性具体而言,结构保持部分对齐开发,通过域不变的特征学习识别看到的基于视觉图的属性传播是为了通过视觉语义映射将可见属�