写出vaspkit根据kpath.in生成高对称点路径的一维电荷密度(实空间波函数)的步骤

时间: 2024-05-14 07:16:27 浏览: 19
根据kpath.in文件生成高对称点路径的一维电荷密度(实空间波函数)的步骤如下: 1. 首先,需要通过vaspkit中的kgen命令生成高对称点路径。具体步骤如下: ``` kgen -k kpath.in -c POSCAR ``` 其中,kpath.in为高对称点路径文件,POSCAR为晶体结构文件。 2. 然后,需要通过vaspkit中的waveder命令生成一维电荷密度(实空间波函数)。具体步骤如下: ``` waveder -w -c POSCAR -k kgen.out -p KPOINTS -r 1 -i 1 -o out ``` 其中,-w表示生成实空间波函数;-c POSCAR表示晶体结构文件;-k kgen.out表示高对称点路径文件;-p KPOINTS表示K点路径文件;-r 1表示选择第一个原子,如果系统中只有一种元素,则默认为1;-i 1表示计算电荷密度,如果需要计算势能密度,则改为-i 2;-o out表示输出文件名。 3. 最后,通过vaspkit中的plot命令绘制电荷密度曲线。具体步骤如下: ``` plot -f out.dat -x Distance -y Wavefunction -t "Charge Density" ``` 其中,-f out.dat表示输入文件名;-x Distance表示X轴数据,即高对称点路径上的距离;-y Wavefunction表示Y轴数据,即实空间波函数的值;-t "Charge Density"表示图表标题。
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vaspkit 产生 kpath.in

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