n沟道增强型绝缘栅场效晶体管

N沟道增强型绝缘栅场效晶体管（N-Channel Enhancement Mode Insulated Gate Field Effect Transistor，简称N-MOSFET）是一种常见的场效应晶体管。它的结构由源极、漏极和栅极组成，其中栅极与源极之间被一层绝缘层隔开。当栅极施加一定电压时，形成一个电场，控制了源极到漏极的电阻，实现了电流的控制。N-MOSFET具有响应速度快，功耗低，可靠性高等优点，被广泛应用于数字电路、模拟电路、功率电子等领域。