增强型mos电路图

增强型MOS电路图是一种常用的放大器电路，其电路图如下所示：

         VDD
          |
          |
         ---
        |   |
    R1  |   |
        |   |   M1
        |   |___|<-- Output
        |   |   |
        |   |   |
        |   |___|
        |   |   |
    R2  |   |   |
        |   |   |
        |   |___|
        |   |   |
        |___|___|
            |
          ___
         |   |
         | M2|
         |___|<-- Input
         |   |
         |   |
         |___|

其中，M1为增强型MOS管，M2为输入MOS管，R1和R2为两个电阻，VDD为正电源。

增强型MOS电路的特点是输入电压和输出电压具有反相关系。当输入电压高于某个临界值时，M1会开始导通，从而形成一条从VDD到输出端的电流通路，输出电压就会下降，反之当输入电压低于临界值时，M1不导通，输出电压就会上升。

在实际应用中，增强型MOS电路经常用作放大器或开关电路。通过改变电阻的大小，可以改变电路的放大倍数和临界值，从而实现不同的功能。

相关问题

增强型mos和耗尽型mos特性曲线

增强型 MOS 和耗尽型 MOS 特性曲线如下：

1. 增强型 MOS 特性曲线

增强型 MOS 的特性曲线如下图所示：


从图中可以看出，增强型 MOS 的 Vgs-Vt 值大于 0 时，MOS 就处于开关状态，即导通状态。而当 Vgs-Vt 小于 0 时，MOS 就处于截止状态，即关断状态。

2. 耗尽型 MOS 特性曲线

耗尽型 MOS 的特性曲线如下图所示：


从图中可以看出，耗尽型 MOS 的 Vgs-Vt 值小于 0 时，MOS 就处于开关状态，即导通状态。而当 Vgs-Vt 大于 0 时，MOS 就处于截止状态，即关断状态。

总之，增强型 MOS 和耗尽型 MOS 的特性曲线是有区别的，需要根据具体的应用场景来选择使用哪种类型的 MOS。

增强型mos管工作原理

增强型MOSFET的工作原理是，当控制栅极上的电压为正时，控制栅极和衬底之间形成一个N沟道，电子可以在这个沟道中自由移动，导通电流增大；当控制栅极电压为零时，N沟道消失，MOSFET截止，导通电流为零。

更具体地说，增强型MOSFET的结构是由P型衬底、N型沟道和P型控制栅极组成。当控制栅极上的电压为正时，控制栅极和衬底之间形成一个反型结构，形成一个N沟道，电子可以在这个沟道中自由移动，而P型衬底和N沟道之间形成一个PN结，这个PN结处于正向偏置状态，形成了漂移区。漂移区的电场作用下，电子将从沟道逐渐向漂移区聚集，从而形成强电子浓度梯度，使得导通电流增大。

需要注意的是，由于增强型MOSFET的控制栅极和衬底之间形成的电容非常小，因此其控制电压非常低，一般在几伏以下，这也是增强型MOSFET广泛应用的一个重要原因。