用HAL库实现GDC103CB内部flash读写
时间: 2023-08-24 11:10:29 浏览: 96
GDC103CB内部flash的读写可以通过HAL库中的Flash API实现。以下是一个简单的示例代码,可以实现在GDC103CB内部flash中存储数据和读取数据:
```c
#include "main.h"
#include "stm32g0xx_hal.h"
#define FLASH_USER_START_ADDR 0x0800F800 // GDC103CB内部flash起始地址
#define FLASH_USER_END_ADDR 0x0800FFFF // GDC103CB内部flash结束地址
#define DATA_SIZE 4 // 存储数据的大小为4字节
uint32_t data_to_write = 0x12345678; // 要写入flash的数据
uint32_t data_read; // 从flash中读取的数据
int main(void)
{
HAL_Init();
// 使能flash
__HAL_RCC_FLASH_CLK_ENABLE();
// 解锁flash
HAL_FLASH_Unlock();
// 擦除flash扇区
FLASH_Erase_Sector(FLASH_SECTOR_7, FLASH_VOLTAGE_RANGE_3);
// 写入数据到flash
uint32_t address = FLASH_USER_START_ADDR;
HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, address, data_to_write);
// 读取flash中的数据
address = FLASH_USER_START_ADDR;
data_read = *(uint32_t*)address;
// 锁定flash
HAL_FLASH_Lock();
while (1)
{
// do something
}
}
```
在上面的代码中,首先需要使能flash和解锁flash。然后,使用`FLASH_Erase_Sector()`函数擦除flash扇区,使用`HAL_FLASH_Program()`函数将数据写入flash,使用指针来读取flash中的数据。最后,需要锁定flash以保护数据。
需要注意的是,GDC103CB内部flash的写入操作需要在特定的范围内进行,具体请参考芯片数据手册。
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