s8550三极管导通条件

时间: 2023-09-01 07:08:10 浏览: 698

8550 三极管的资料

### 8550 三极管的详细资料解析 #### 概述 8550三极管是一种常见的PNP型晶体管，在各种电子电路中广泛应用，如放大器、开关电路等。本文将详细解析8550三极管的技术参数、电气特性以及封装尺寸等方面的信息。 #### 技术规格 1. **功率耗散**: 在环境温度为25℃时，最大功率耗散为0.625瓦特。 2. **集电极电流**: 最大集电极电流为-0.5安培。 3. **集射间击穿电压**: 集电极与基极之间的击穿电压为-40伏特。 4. **工作与存储结温范围**: 工作与存储时的结温范围为-55℃至+150℃。 #### 电气特性 (Tamb=25℃) - **集射间击穿电压 (V(BR)CBO)**: 当集电极电流为-100微安且发射极电流为0时，最小值为-40伏特。 - **集射间击穿电压 (V(BR)CEO)**: 当集电极电流为-0.1毫安且基极电流为0时，最小值为-25伏特。 - **发射基间击穿电压 (V(BR)EBO)**: 当发射极电流为-100微安且集电极电流为0时，最小值为-5伏特。 - **集电极截止电流 (ICBO)**: 当集射间电压为-40伏特且发射极电流为0时，最大值为-0.1微安。 - **集电极截止电流 (ICEO)**: 当集射间电压为-20伏特且基极电流为0时，最大值为-0.1微安。 - **发射极截止电流 (IEBO)**: 当发射基间电压为-3伏特且集电极电流为0时，最大值为-0.1微安。 - **直流电流增益 (hFE)**: - 在集射间电压为-1伏特、集电极电流为-50毫安时，典型值为85300。 - 在集射间电压为-1伏特、集电极电流为-500毫安时，典型值为50。 - **集射饱和电压 (VCE(sat))**: 当集电极电流为-500毫安且基极电流为-50毫安时，最大值为-0.6伏特。 - **基射饱和电压 (VBE(sat))**: 当集电极电流为-500毫安且基极电流为-50毫安时，最大值为-1.2伏特。 - **转换频率 (fT)**: 在集射间电压为-6伏特、集电极电流为-20毫安时，最大值为150兆赫兹。 #### 直流电流增益分类 - **等级B**: 范围在85至160之间。 - **等级C**: 范围在120至200之间。 - **等级D**: 范围在160至300之间。 #### 封装与尺寸 8550三极管采用TO-92塑料封装，其引脚排列及尺寸如下： - **发射极 (E)**: 符号e - **集电极 (C)**: 符号C - **基极 (B)**: 符号b 具体尺寸如下（单位：毫米）: - **A**: 最小值3.300，最大值3.700 - **A1**: 最小值1.100，最大值1.400 - **b**: 最小值0.380，最大值0.550 - **c**: 最小值0.360，最大值0.510 - **D**: 最小值4.400，最大值4.700 - **D1**: 最小值3.430，最大值4.700 - **E**: 最小值4.300 - **e**: 最小值2.440 - **e1**: 最小值14.100，最大值14.500 - **L**: 最小值0.000 - **Ø**: 最小值0.000，最大值0.380 对应的英寸尺寸如下： - **A**: 最小值0.130，最大值0.146 - **A1**: 最小值0.043，最大值0.055 - **b**: 最小值0.015，最大值0.022 - **c**: 最小值0.014，最大值0.020 - **D**: 最小值0.173，最大值0.185 - **D1**: 最小值0.135，最大值0.185 - **E**: 最小值0.169 - **e**: 最小值0.096 - **e1**: 最小值0.555，最大值0.571 - **L**: 最小值0.000 - **Ø**: 最小值0.000，最大值0.015 #### 总结 8550三极管作为一款通用型PNP晶体管，具有良好的电气性能和广泛的适用性。它适用于低至中等功率应用，如音频放大器、信号放大器或开关电路等。通过上述详细介绍，我们可以了解到8550三极管的具体技术参数及其封装尺寸，这些信息对于正确选择和使用该型号的晶体管至关重要。

S8550三极管作为一种PNP型晶体管，其导通条件与NPN型三极管有所不同。它的导通条件为：基极与发射极之间的电压为负值（负向偏置），而集电极与发射极之间的电压为正值（正向偏置）。当这两个条件都满足时，S8550三极管才会导通。需要注意的是，S8550三极管的电压极限为40V，超过这个电压容易损坏三极管。

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