再解析一下FLASH_DataCacheCmd
时间: 2023-08-05 15:03:55 浏览: 132
在STM32中,FLASH_DataCacheCmd函数用于使能或禁用Flash数据缓存。Flash数据缓存是为了提高Flash读取速度而设置的高速缓存,能够存储最近读取的Flash数据。当需要再次读取相同的Flash数据时,可以直接从缓存中读取,而不需要再次访问Flash存储器,从而提高了系统的读取速度。
FLASH_DataCacheCmd函数需要传入一个参数,即使能或禁用Flash数据缓存。当该参数为ENABLE时,表示使能Flash数据缓存;当该参数为DISABLE时,表示禁用Flash数据缓存。
需要注意的是,Flash数据缓存只能存储Flash存储器中的数据,不能存储SRAM中的数据。并且,Flash数据缓存的大小是有限的,不能存储过多的数据。因此,在使用FLASH_DataCacheCmd函数使能Flash数据缓存时,需要仔细考虑是否需要使用该功能,并根据实际需求合理设置Flash数据缓存的大小。
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详细解析一下FLASH_EraseSector这个函数
在STM32中,FLASH_EraseSector函数用于擦除Flash存储器中指定的扇区。Flash存储器被分为多个扇区,每个扇区的大小是固定的,可以通过FLASH_GetSectorNumber函数获取每个扇区的编号。FLASH_EraseSector函数需要传入一个参数,即要擦除的扇区编号。
使用FLASH_EraseSector函数擦除Flash存储器中的扇区时,需要注意以下几点:
1. 在擦除Flash存储器之前,需要先解锁Flash存储器,以便进行Flash操作。可以使用FLASH_Unlock函数解锁Flash存储器。
2. 在擦除Flash存储器之前,需要确保要擦除的扇区不是当前正在使用的扇区,并且没有被锁定。可以使用FLASH_GetStatus函数检查要擦除的扇区的状态。
3. 擦除Flash存储器时,需要等待擦除操作完成。可以使用FLASH_WaitForLastOperation函数等待擦除操作完成。
4. 擦除Flash存储器后,需要重新锁定Flash存储器,以防止在以后的操作中发生未预期的操作。可以使用FLASH_Lock函数重新锁定Flash存储器。
需要注意的是,擦除Flash存储器会将整个扇区中的数据全部擦除,因此在擦除Flash存储器之前,需要备份存储在该扇区中的数据,以便在需要时进行恢复。此外,在使用FLASH_EraseSector函数擦除Flash存储器时,需要谨慎操作,以免擦除了重要的数据。
详细解析一下FLASH_EraseSector这个函数需要的形参
在STM32中,FLASH_EraseSector函数需要传入一个参数,即要擦除的Flash存储器扇区编号。下面对FLASH_EraseSector函数的形参进行详细解析:
1. sector:要擦除的Flash存储器扇区编号,可以使用FLASH_GetSectorNumber函数获取。在擦除Flash存储器之前,需要确保要擦除的扇区不是当前正在使用的扇区,并且没有被锁定。如果要擦除多个扇区,需要多次调用FLASH_EraseSector函数。
例如,要擦除Flash存储器中的第7个扇区,可以按照以下方式调用FLASH_EraseSector函数:
```c
FLASH_EraseSector(FLASH_SECTOR_7, FLASH_VOLTAGE_RANGE_3);
```
需要注意的是,不同型号的STM32芯片支持的Flash存储器扇区数量和编号可能不同,在使用FLASH_EraseSector函数时需要根据具体的芯片型号和数据手册进行调整。
2. VoltageRange:Flash存储器供电电压范围,类型为uint8_t。可以传入以下常量之一:
- FLASH_VOLTAGE_RANGE_1:供电电压范围为1.8V至2.1V。
- FLASH_VOLTAGE_RANGE_2:供电电压范围为2.1V至2.7V。
- FLASH_VOLTAGE_RANGE_3:供电电压范围为2.7V至3.6V。
在使用FLASH_EraseSector函数时,需要根据实际情况选择正确的供电电压范围,否则擦除操作可能会失败。
需要注意的是,FLASH_EraseSector函数还有一个可选的形参Banks,用于指定要擦除的Flash存储器扇区所在的Flash存储器Bank,但是在大多数情况下可以将其设置为默认值FLASH_BANK_1即可。
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