de-embedding on-wafer photodiode

在芯片上进行去嵌入(on-wafer)光电二极管(de-embedding)是一种技术，用于从整个器件结构中提取出光电二极管的电学性能。这项技术对于光电二极管的设计和优化非常重要。

为了实现On-Wafer光电二极管的去嵌入，需要一系列步骤。首先，我们需要在片上制作光电二极管结构。这个结构包括光电二极管的光吸收层、P-N结构和电极。接下来，我们需要在片上测试器件的反应特性，如电流-电压特性以及频率响应等。

然后，我们使用去嵌入技术从整个片上的器件结构中分离出光电二极管的特性，以便独立地获取其电学参数。这可以通过在测量中通过置入引线和接地等临时结构来实现。这样，在测量过程中，我们可以将光电二极管与其他组件分离，以获得准确的电学性能。

去嵌入的主要目的是为了消除芯片封装过程中可能引入的影响，例如导线电阻、电容等。这允许我们更好地了解光电二极管的真实性能，并为优化器件的设计提供准确的电学参数。

总结而言，On-Wafer光电二极管的去嵌入是一种重要的技术，用于提取光电二极管在芯片上的真实电学性能。通过去除芯片封装过程中引入的影响，我们可以准确地评估器件的性能，并优化其设计。