芯片制备 -- cmos工艺发展史

CMOS工艺是一种常用的集成电路制备技术，它采用互补金属氧化物半导体（CMOS）结构来制造芯片。CMOS工艺的发展可以追溯到20世纪60年代末。

首先，CMOS技术的基础是MOS（金属氧化物半导体）技术，它在20世纪60年代初获得了广泛应用。MOS技术使用氧化层作为绝缘层，并在金属和半导体之间形成了一个电容。这种技术可以用于制作逻辑门电路和放大器。

随着时间的推移，人们开始研究如何将MOS技术与互补结构相结合，以提高集成电路的性能和功耗。这就引入了CMOS技术。

1963年，费尔顿公司的Frank Wanlass首次提出了CMOS的概念，并在1968年申请了相关的专利。然而，在当时，由于技术限制和制造成本的挑战，CMOS工艺并没有得到广泛应用。

直到20世纪70年代，随着工艺技术的不断改进和集成电路的需求增加，CMOS工艺变得更加成熟和可靠。这主要得益于新的工艺技术，如多晶硅的使用、氧化硅的制备和金属化层的改进。

在1980年代，CMOS工艺迎来了快速发展的时期。创新的制造技术，如光刻技术、离子注入和高精度蒸镀，使得芯片制造变得更加精确和可控。

随着时间的推移，CMOS工艺越来越成熟，并在各个领域得到广泛应用。它不仅用于制造微处理器和存储器等大规模集成电路，还被应用于数字电路、模拟电路、传感器和通信芯片等领域。

总之，CMOS工艺的发展经历了多年的探索和改进，从MOS技术到CMOS技术的演变，推动了集成电路行业的发展和创新。