比较SPI NOR FLASH与SPI NAND FLASH

SPI NOR Flash和SPI NAND Flash都是基于Serial Peripheral Interface (SPI)标准的闪存存储器，它们之间的区别在于数据结构、读写速度以及用途。

1. **数据结构**:
- SPI NOR Flash: 它采用的是断电保持（Non-Volatile）的结构，每个地址块内的数据可以独立擦除和写入。这是因为它采用了单次擦除区（Single-Level Cell, SLC），适合频繁的小块数据更新。
- SPI NAND Flash: 使用的是多级单元（Multi-Level Cell, MLC, 后续发展还有 TLC 和 QLC）技术，每个存储单元可以同时保存多个位，这使得其存储密度更高，但是需要一次擦除整个页甚至块才能写入新的内容，因此不适合频繁的数据修改。

2. **读写速度**:
- SPI NOR Flash: 由于每个操作都是针对单个字节或块进行的，所以读取速度较快，而写入速度相对较慢。
- SPI NAND Flash: 写入速度比SPI NOR更慢，尤其是对于随机写入，因为需要先擦除再写入，这个过程耗时较长。

3. **应用场景**:
- SPI NOR Flash: 因其快速的读取和相对较小的写入次数，常用于对数据持久性和访问速度有较高要求的应用，如嵌入式系统、微控制器的程序存储等。
- SPI NAND Flash: 主要应用于大规模存储需求，比如固态硬盘(SSD)、U盘等，或者在不需要频繁改动内容的大容量数据存储场景。