VDDQ/VPP/VTT/VREF 都是什么电

针对DDR SDRAM系统的不同电源类型，以下是关于VDDQ、VPP、VTT以及VREF的含义与功能区别的说明。

VDDQ代表的是提供给存储芯片的数据输入/输出(I/O)缓冲电路的供电电压。这个电压直接关系到数据线路上的操作性能和稳定性，在DDR2中通常是1.8伏特或者对于低功耗版本则是更低的电压值。

VPP并不是所有类型的DDR都有定义。在一些早期的SDRAM技术中,VPP指的是编程电压,用于EPROM擦除或EEPROM写入操作。然而，在现代DDR SDRAM（包括DDR2至DDR4）中已经不再需要外部提供的高电压来执行这些操作，因此VPP在这个上下文中可能不适用或是指其他特定用途的电压供应。

VTT是一个终端参考电压源，用来确保地址总线、控制总线和其他信号线路的良好信号完整性。为了减少反射和提高信号质量，VTT会在这些线上提供适当的阻抗匹配。VTT一般等于VDDQ的一半左右，并且能够支持较大的电流需求以维持稳定的电平。

VREF是参考电压，用作比较基准点，帮助确定逻辑高低状态之间的转换阈值。这有助于降低噪声敏感度并且使得接口更加可靠地工作。VREF通常设置为VDDQ的大约一半，但具体数值取决于具体的器件规格书中的指导。

综上所述，
- VDDQ负责I/O缓冲器的能量供给；
- VPP在某些旧型态的记忆体中有特殊意义但在多数新式的DDR里已无此参数；
- VTT保证了良好的信号完整性和正确的电气特性；
- VREF提供了稳定可靠的逻辑判断基础。

相关问题

电路图中，VDDQ 是什么意思

在电路图中，"VDDQ"通常表示电源电压，特别是针对高速数字信号处理系统（如内存控制器或数据总线）使用的专用电源电压。"VDD"代表电源电压（Voltage Differential），而“Q”可能是Quantum（量子）、Quick（快速）或者其他技术缩写，强调这是一个特定于某个功能或速度等级的供电线路，它为集成电路内的数字信号提供稳定的、高频率操作所必需的电源。

翻译Enable/Disable WAKE_B to wake-up the device on falling edge when VDDQ is not present. • 0 - WAKE_B is pulled up to VDDQ (internally and/or externally). WAKE_B is ignored while in LPM if VDDQ is low. • 1 - WAKE_B is externally pulled up to VBATP or VDDQ and wakes upon a falling edge of the WAKE_B pin regardless of the VDDQ status.(VDDQ is not expected to go low)

启用/禁用 WAKE_B 来在 VDDQ 不存在时由下降沿唤醒设备。
• 0 - WAKE_B 被拉高到 VDDQ（内部和/或外部）。在低功耗模式时，如果 VDDQ 低电平，将忽略 WAKE_B 信号。
• 1 - WAKE_B 外部被拉高到 VBATP 或 VDDQ，并且在 WAKE_B 引脚上出现下降沿时唤醒，无论 VDDQ 的状态如何。（不预期 VDDQ 会出现低电平）