为什么控制信号不是接mos管的G极？

对于 MOSFET 来说，控制信号通常是应用在其栅极（G 极）上，以控制通道的导通和截止。然而，在 BUCK 电路中，控制信号通常是通过 MOSFET 的源极（S 极）和栅极（G 极）之间施加的。

在 NMOS BUCK 电路中，源极与负极连接，而栅极则通过控制信号与负极之间施加电压。这样做的目的是为了确保 MOSFET 在导通状态下，栅极与源极之间的电压差足够大，以保持 MOSFET 处于饱和区，从而实现较低的导通电阻和较小的功耗。

因此，在控制信号频率为 1.5MHz 的情况下，您需要将方波信号应用在 MOSFET 的源极与负极之间，而不是直接接在栅极上。这样可以确保 MOSFET 在每个周期内都能正确地切换导通和截止状态，从而实现有效的降压操作。

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poly变小mos 管会漏电吗？为什么？

在 MOS 工艺中，poly 和 MOS 管是分开制作的，poly 层主要用于形成 MOS 管的栅极和其他器件结构，而 MOS 管是形成在 poly 层之上的，它们是互相独立的。因此，即使将 poly 层缩小，也不会直接影响 MOS 管的漏电情况。但是，如果缩小 poly 层的同时也缩小了 MOS 管的尺寸，那么 MOS 管的漏电可能会增加，这是因为缩小 MOS 管的尺寸会增加场效应管的电场强度，从而导致漏电的增加。

三极管和mos管驱动驱动信号上讲有什么区别？

三极管和MOS管都是常用的半导体器件，可以作为驱动器件来控制电路中的负载。它们的主要区别在于工作原理、电路特性和驱动信号上的差异。

三极管的工作原理是基于电流控制的，其输出特性受到电流的影响。在驱动信号上，三极管需要提供足够的基极电流才能正常工作。因此，驱动三极管需要一个电压比较高的信号，通常需要使用一个放大器来提供足够的电流。

MOS管的工作原理是基于电场控制的，其输出特性受到电压的影响。在驱动信号上，MOS管需要提供足够的栅极电压才能正常工作。因此，驱动MOS管只需要一个电压比较低的信号，通常可以直接从微处理器或其他逻辑电路中提供。

总的来说，三极管和MOS管在驱动信号上的区别主要在于驱动电压的高低和所需的电流大小。在实际应用中，可以根据具体的电路要求选择合适的驱动器件。