APM9945KC-TRL-VB: 60V双N沟道高功率SOP8 MOS管

APM9945KC-TRL-VB是一款高性能的SOP8封装双N-Channel场效应MOS管，由VBSEMI公司生产。这款器件采用先进的Trench FET技术，确保了高效率和可靠性。以下是该器件的主要特性： 1. **封装类型**: SOP8封装，适合于紧凑的应用空间，便于集成到电路板上。 2. **沟道类型**: N-Channel，意味着它是一种电流控制的开关元件，能通过控制栅极电压（VGS）来控制漏极电流（ID）。 3. **电压规格**: - 额定最大漏源电压（VDS）为60V，可以承受较高的电压差异。 - 在VGS = 10V时，漏极导通电阻（RDS(on)）为27mΩ，表示在低栅极电压下具有良好的开关性能。 - 当VGS = 4.5V时，RDS(on)可能有所不同，但具体数值未在描述中提供。 4. **电流能力**: - 每个沟道的最大连续漏极电流（ID）为7A，适合高功率应用。 - 连续源极电流（IS）限制为3.6A，这有助于保护器件免受过流损坏。 5. **脉冲性能**: - 对于单个脉冲，允许的最大集电极-源极雪崩电流（IDM）为28A，雪崩能量（EAS）为16.2mJ，适用于短时间、大电流操作。 - 脉宽限制为300μs，且占空比不超过2%，确保了器件的安全工作范围。 6. **温度管理**: - 最大操作和存储温度范围为-55°C至+175°C，Tj,T为125°C。 - 提供了热阻Rth，用于计算Junction-to-Ambient的热阻，这有助于设计者了解散热需求。 7. **质量保证**: - 100%的Rg和UIS测试，保证了器件在各种工作条件下的稳定性。 8. **安装注意事项**: - 包装有限制，必须遵循制造商的建议进行安装。 - 当安装在1平方英寸（1" square PCB）FR4材料上时，需要考虑脉冲测试的限制条件。 APM9945KC-TRL-VB是一款针对60V电压等级、高电流应用设计的高性能双N-Channel MOSFET，特别适合于需要高效开关性能和可靠性的电源管理、电机驱动或功率转换等电路。在设计电路时，务必注意其工作电压、电流限制以及热管理参数，以确保器件的长期稳定运行。