2SJ210-T1B-A-VB:高性能P沟道SOT23 MOSFET
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更新于2024-08-03
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"2SJ210-T1B-A-VB是一种P沟道的MOSFET,采用SOT23封装,适用于高侧切换应用。这款MOSFET具有低导通电阻(3Ω典型值)、低阈值电压(-2V典型值)、快速切换速度(20ns典型值)以及低输入电容(20pF典型值)。它符合RoHS指令,并且是无卤素设计。其主要规格包括最大漏源电压60V、最大连续漏极电流(25°C时为500mA,100°C时为350mA)、脉冲漏极电流可达1500mA,以及最大功率耗散在25°C时为460mW,在100°C时为240mW。此外,它的热阻为350°C/W,工作和存储温度范围在-55至150°C之间。"
2SJ210-T1B-A-VB是一款由VBsemi公司生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),它采用了先进的TrenchFET技术,这使得它在小型化封装SOT23中仍能实现高性能。TrenchFET结构通过在硅片上蚀刻出深沟槽,降低了沟道电阻,从而降低了导通电阻,提升了开关效率。
该器件特别适合用作高侧开关,这是因为P沟道MOSFET在栅极电压为正时导通,非常适合控制电源正极。其低导通电阻(3Ω)意味着在导通状态下,流过MOSFET的电流将导致较低的电压降,进而减少功耗。低阈值电压(-2V)使得器件更容易开启,而低输入电容(20pF)则有利于高速开关操作,如在开关电源或电机控制应用中。
在电气参数方面,2SJ210-T1B-A-VB的最大漏源电压(VDS)为-60V,这意味着它可以承受高达60V的反向电压。门极-源极电压(VGS)的最大值为±20V,确保了MOSFET的稳定工作。此外,器件在不同温度下的额定电流和功率耗散也给出了,以防止过热。
安全操作区域(SOA)和脉冲测试条件也进行了规定,以确保在实际应用中不会超出器件的极限。例如,脉冲宽度限制在最大结温以下,以保护MOSFET免受损坏。
2SJ210-T1B-A-VB是一款适用于需要高效、小尺寸和高速切换的P沟道MOSFET应用的产品,如电池管理系统、负载开关、DC-DC转换器以及各种电子设备中的电源管理。用户可以访问VBsemi的官方网站获取更多详细信息或联系他们的服务热线获取技术支持。
2024-03-13 上传
2024-03-13 上传
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2023-03-28 上传
2023-09-19 上传
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2023-07-28 上传
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