高频电路设计基础：JFET与MOSFET放大器

"这个资源是一个针对高频和射频电路的学习资料集合，特别适合初学者。它包含了多种常见的高频电路设计单元和模块，如小信号放大电路、JFET和MOSFET的前置放大器等。" 本文将详细解析这些高频基本电路的关键知识点： 1. **JFET闸极接地前置放大器**： - JFET（Junction Field-Effect Transistor，结型场效应晶体管）是一种常用的电压控制电流器件，其闸极接地电路设计有助于输入输出的隔离。 - 图1-1展示了使用2SK125（SONY）的JFET闸极接地放大电路，该电路的功率增益约为10-12dB，噪声系数（NF）约为2dB。 - 电路上的LC网络（L1、L2）需要根据频率选择合适的数值，以减少杂散电容，并通过旁路电容（如0.001μF）提高电路稳定性。 - 源极电阻的调整是为了设定约10mA的漏极电流，微调电容器则用于优化灵敏度，但增益最大点与NF最优点可能不一致，通常会调整到NF的最佳点。 2. **单闸极MOSFET前置放大器**： - 高频放大电路中，VHF（甚高频）应用现在更多地采用FET，如图2-1所示的2SK241（东芝）MOSFET，具有28dB的功率增益（在100MHz时），适用于VHF接收器的高频放大级。 - 零偏压操作简化了电路结构，仅需六个元件（包括电感和电容）就能适应不同频率的高频放大电路，且在6-12V电源电压范围内，漏极电流保持稳定，约为9mA。 3. **单闸极MOSFET前置放大器（II）**： - 图3-1是专为100MHz频带设计的RF（射频）放大器，目标是实现低噪声系数（NF）和高增益。过去，这两者往往难以兼顾，但随着元件性能的提升，现在可以使用廉价的MOSFET轻松实现。 - 调整方法包括使用跟踪发生器和阻抗桥来产生约-30至-40dBm的信号输入前置放大器，注意输入电平不宜过高，以免使MOSFET饱和。 这些基本电路的设计和调整方法对于理解和实践高频和射频电子技术至关重要。通过学习这些电路，初学者可以掌握如何构建和优化高频放大器，理解不同元件的选择和布局对电路性能的影响，以及如何进行电路调试以达到最佳工作状态。