英飞凌IAUZ30N08S5N186 OptiMOS™-5 功率MOSFET技术规格

"IAUZ30N08S5N186是英飞凌科技公司生产的OptiMOS™-5系列的一款N沟道增强模式功率MOSFET，适用于汽车应用。该芯片具备高耐温特性，能够在175°C的环境下稳定工作，并符合RoHS标准，是一款绿色产品。此外，它通过了100%雪崩测试，确保其在高压环境下的安全性。" IAUZ30N08S5N186的主要特点和规格包括： 1. **应用领域**：OptiMOS™-5系列的功率MOSFET主要设计用于汽车电子系统，满足严苛的汽车环境要求。 2. **通道类型与工作模式**：N沟道增强模式，这意味着在栅极电压达到一定阈值时，MOSFET才能导通。 3. **温度范围**：具有宽泛的工作和存储温度范围，从-55°C到+175°C，确保在极端环境下也能正常工作。 4. **MSL等级**：湿度敏感度等级为MSL1，可承受高达260°C的峰值再流温度，有利于SMT生产过程。 5. **耐压与导通电阻**：最大漏源电压VDS为80V，最大漏源导通电阻RDS(on)为18.6mΩ，这表示在低电压下有较低的内阻，能提供较高的效率。 6. **电流能力**：持续漏极电流ID在VGS=10V时的最大值为30A，脉冲漏极电流ID,pulse在25°C时可达到120A，适合大电流应用场景。 7. **雪崩能量**：单脉冲雪崩能量EAS为35mJ，表明芯片在过载条件下具有良好的耐受性。 8. **栅源电压**：最大栅源电压VGS为±20V，保证了驱动电路的兼容性和稳定性。 9. **热特性**：具有低的结壳热阻RthJC（3.7K/W），有助于散热，保证长时间工作的可靠性。 这款芯片封装为PG-TSDSON-8-32，产品标识为5N08186，是英飞凌在2021年6月18日发布的一种小型化、高性能的解决方案，旨在优化汽车电子系统的功率转换和控制效率。其低RDS(on)和出色的热特性，使得IAUZ30N08S5N186成为电源管理、电机驱动和开关电源等应用的理想选择。