SK海力士UFS3.1 3D V6存储器规格书：128GB-512GB详细技术资料

"SK hynix UFS3.1 3D V6 Datasheet 128GB-512GB是SK海力士发布的针对UFS3.1接口的移动存储产品技术规格文档，涵盖了128GB到512GB的不同容量。这份文档的版本号为Rev1.2，发布日期为2020年12月。" 这篇文档详细介绍了SK海力士的UFS3.1兼容的3D NAND闪存解决方案，其中的关键知识点包括： 1. **UFS3.1协议**：这是移动设备高速存储的一种标准，相比UFS2.1，它提供了更快的数据传输速度和更低的功耗。UFS3.1引入了新的特性，如Write Turbo、Fast Read、Deep Sleep等，进一步优化了读写性能和能效。 2. **3D V6技术**：这代表了SK海力士的第六代3D NAND闪存技术，通过垂直堆叠多个存储单元来实现高密度存储。3D NAND提高了存储容量，同时保持了较高的数据读写速度和可靠性。 3. **产品系列**：HN8Tx5BZGKX01x是具体的产品型号，表明这是一款采用UFS3.1接口的移动存储芯片，覆盖128GB到512GB的容量范围，适合高端智能手机、平板电脑和其他移动设备。 4. **电气规范**：文档中提到了VCCQ（1.2v）的电容值调整，例如C3的最小值从2.2增加到4.7，以及C4的最小值从0.1变为0，这些变化可能关乎电源稳定性和数据传输的精确性。 5. **版本历史**：从0.1到1.1的修订，表明了文档经过了多次更新和完善，1.1版本中特别更新了连接指南规范，涉及VCCQ和VDDiQ2的电源电压和电容要求，这些调整影响了产品的兼容性和性能。 6. **版权和使用限制**：SK海力士强调该文档包含的信息是保密和专有的，未经许可不得分发或复制给第三方，体现了对知识产权的保护。 7. **联系信息**：对于SK海力士UFS产品的最新更新或更多信息，用户可以通过SK海力士的官方渠道联系。 这份 datasheet 是工程师、设计师和开发者理解并应用SK海力士UFS3.1 3D NAND存储产品的重要参考资料，它详细阐述了产品的技术规格、性能指标和使用注意事项。