模拟电子技术基础第四版习题解析

"模拟电子技术基础第四版配套习题答案，涵盖了清华大学出版的华成英、童诗白合著的《模拟电子技术基础》第四版的相关习题解答，包括半导体器件、PN结、晶体管、场效应管等方面的知识。" 模拟电子技术是电子工程中的核心课程，主要研究和分析电子设备和系统中模拟信号的处理。该习题集对应的内容详细讲解了以下几个关键知识点： 1. **半导体器件**：半导体分为N型和P型，N型半导体含有丰富的多子自由电子，而P型半导体则有较多的空穴。通过掺杂工艺，可以将N型半导体转化为P型，反之亦然。例如，向N型半导体掺入三价元素，可以增加空穴浓度，形成P型半导体。 2. **PN结**：PN结是半导体器件的基础，它是P型和N型半导体接触形成的。在无光照和无外加电压时，PN结的结电流几乎为零。当PN结加正向电压时，空间电荷区变窄，允许电流通过；反之，加反向电压时，空间电荷区变宽，阻止电流流动。 3. **二极管**：二极管是一种单向导电器件，其电流方程通常基于Shockley理想二极管模型，当二极管反向击穿时，进入稳压区，电压基本保持恒定。例如，稳压管在反向击穿状态下工作，提供稳定的电压输出。 4. **晶体管**：晶体管是放大电路的核心元件，主要有两种类型：双极型晶体管（BJT）和场效应管（FET）。在放大状态下，BJT的发射结正偏，集电结反偏，使得电流放大。晶体管的集电极电流是由少子扩散运动形成的。 5. **场效应管**：场效应管分为结型和MOS型，其中增强型MOS管和耗尽型MOS管各有不同特性。当UGS为0V时，耗尽型MOS管可以工作在恒流区，而增强型MOS管则不导通。栅-源电压对场效应管的输入电阻有很大影响，对于耗尽型MOS管，当UGS大于零时，输入电阻可能减小。 习题集中的解答还涉及了稳压电路的分析，如利用稳压管设计电路以得到恒定的输出电压。此外，还讨论了晶体管的输出特性曲线，指出集电极最大耗散功率与电压和电流的关系，以及如何确定过损耗区。在晶体管放大电路的设计中，通过计算基极电阻和基极电流来确定输出电压和饱和状态的条件。 这个习题集是学习模拟电子技术基础的重要参考资料，它通过实例和练习帮助学生深入理解半导体器件的工作原理，晶体管和场效应管的放大作用，以及如何设计和分析相关的电子电路。