TLD1314EL 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf-数据表Rev. 1.2 LITIX™ Basic应用及应用图。

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TLD1314EL是一款英飞凌芯片，也称为LITIX Basic。它是一种高侧电流源，通常用于外部和内部LED照明应用。外部应用包括尾灯、刹车灯、转向灯、位置灯和侧标灯等；而内部应用包括环境照明、内部照明和仪表盘照明等。 TLD1314EL采用PG-SSOP-14封装，其封装上标有"TLD1314"标志。在使用中，可以通过使用470kΩ的电阻来调节电流。如果需要进行PWM调制或电磁干扰改善，还可以通过连接100pF的电容进行设置。该芯片具有一些保护电路。其中包括内部供电、输出控制、过热保护和诊断使能。此外，该芯片还带有一个ISO-pulse保护电路。总之，TLD1314EL是一款功能强大的芯片，适用于各种LED照明应用。其具备较多的保护功能和调节选项，能够满足不同的需求。更多详细信息可以在INFINEON官方网站上找到TLD1314EL的规格书，该规格书的中文版可以在名为"TLD1314EL 英飞凌芯片 INFINEON 中文版规格书手册.pdf"的文件中找到。

Data Sheet 6 Rev. 1.2

2018-04-26

LITIX™ Basic

TLD1314EL

General Product Characteristics

4 General Product Characteristics

4.1 Absolute Maximum Ratings

Note: Stresses above the ones listed here may cause permanent damage to the device. Exposure to absolute

maximum rating conditions for extended periods may affect device reliability.

Note: Integrated protection functions are designed to prevent IC destruction under fault conditions described in

the data sheet. Fault conditions are considered as “outside” normal operating range. Protection functions

are not designed for continuous repetitive operation.

Absolute Maximum Ratings

= -40°C to +150°C; all voltages with respect to ground, positive current flowing into pin for input pins (I),

positive currents flowing out of the I/O and output pins (O) (unless otherwise specified)

1) Not subject to production test, specified by design

Pos. Parameter Symbol Limit Values Unit Conditions

Min. Max.

Voltages

4.1.1 Supply voltage V

-16 40 V –

4.1.2 Diagnosis enable voltage DEN V

DEN

-16 40 V –

4.1.3 Diagn. enable voltage DEN related to V

DEN(VS)

- 40 V

+ 16 V –

4.1.4 Diagn. enable voltage DEN related to

OUTx

DEN

- V

OUTx

DEN

OUTx

-16 40 V –

4.1.5 Output voltage V

OUTx

-1 40 V –

4.1.6 Power stage voltage

= V

- V

OUTx

-16 40 V –

4.1.7 IN_SET voltage V

IN_SET

-0.3 6 V –

4.1.8 Status voltage V

-0.3 6 V –

Currents

4.1.9 IN_SET current I

IN_SET

–

mA –

Diagnosis output

4.1.10 Output current I

OUTx

– 130 mA –

Temperatures

4.1.11 Junction temperature T

-40 150 °C –

4.1.12 Storage temperature T

stg

-55 150 °C –

ESD Susceptibility

4.1.13 ESD resistivity to GND V

ESD

-2 2 kV Human Body

Model (100 pF via

1.5 kΩ)

2) ESD susceptibility, Human Body Model “HBM” according to ANSI/ESDA/JEDEC JS-001-2011

4.1.14 ESD resistivity all pins to GND V

ESD

-500 500 V CDM

3) ESD susceptibility, Charged Device Model “CDM” according to JESD22-C101E

4.1.15 ESD resistivity corner pins to GND V

ESD

-750 750 V CDM

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