7N6-SOT23-3-VB MOSFET: 参数详解与应用指南
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更新于2024-08-03
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"7N6-SOT23-3-VB是一款由VB Semiconductor制造的N-Channel沟道MOSFET,适用于SOT23封装。这款MOSFET具有60V的额定 Drain-Source 电压(VDS),能够处理连续的Drain电流(ID)高达4A,当VGS=10V时,RDS(ON)低至85mΩ,提供高效能开关操作。此外,其阈值电压Vth在1到3V之间,适合各种电源管理应用,如电池开关和DC/DC转换器。产品特性包括采用TrenchFET技术,符合无卤素标准,并经过100%的Rg和UIS测试,确保了可靠性和安全性。"
详细说明:
7N6-SOT23-3-VB是一款N-Channel沟道MOSFET,这意味着它在栅极(Gate)和源极(Source)之间加正电压时导通,而在零或负电压时截止。这款MOSFET设计用于SOT23封装,这是一种小型表面贴装器件,适合空间有限的应用。
关键参数包括:
1. **Drain-Source电压 (VDS)**:最大值为60V,意味着源极和漏极之间可承受的最大电压。
2. **连续Drain电流 (ID)**:在室温(25°C)下,ID的最大值为4A,随着温度升高,电流能力会下降。
3. **RDS(ON)**:衡量MOSFET在导通状态下的电阻。在VGS=10V时,RDS(ON)仅为85mΩ,这表明它在低电压下有良好的导通性能,适合低损耗应用。
4. **阈值电压 (Vth)**:在1到3V之间,决定了使MOSFET导通所需的最小栅极电压。
5. **Qg(总栅极电荷)**:典型值为2.1nC,表示开启或关闭MOSFET所需电荷,影响开关速度。
应用领域:
7N6-SOT23-3-VB适用于电池开关,例如在便携式设备中控制电池的接入和断开,以及DC/DC转换器,用于电源管理和电压转换。
附加特性:
- **TrenchFET技术**:采用沟槽结构,减小了MOSFET的尺寸并提高了性能。
- **无卤素**:符合IEC61249-2-21标准,对环境友好。
- **100% Rg和UIS测试**:确保了器件的栅极电阻和雪崩耐受能力,增强了可靠性。
绝对最大额定值:
- **Drain-Source电压 (VDS)**:60V
- **Gate-Source电压 (VGS)**:±20V
- **连续Drain电流 (ID)**:在不同温度下有不同的限制
- **脉冲Drain电流 (IDM)**:12A
- **连续Source-Drain二极管电流 (IS)**:在不同温度下有所不同
- **雪崩电流 (IAS)**:6A
- **单脉冲雪崩能量 (EAS)**:1.8mJ
- **最大功率耗散 (PD)**:在不同温度下有不同的限制
工作和存储温度范围:
- **-55°C to 150°C**,确保了器件在广泛的工作环境中能正常运行和储存。
这款MOSFET的综合性能和小型封装使其成为电源管理、信号切换和低功耗电路的理想选择。
2024-03-13 上传
2024-03-30 上传
2024-10-12 上传
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