7N6-SOT23-3-VB MOSFET: 参数详解与应用指南

"7N6-SOT23-3-VB是一款由VB Semiconductor制造的N-Channel沟道MOSFET，适用于SOT23封装。这款MOSFET具有60V的额定 Drain-Source 电压（VDS），能够处理连续的Drain电流（ID）高达4A，当VGS=10V时，RDS(ON)低至85mΩ，提供高效能开关操作。此外，其阈值电压Vth在1到3V之间，适合各种电源管理应用，如电池开关和DC/DC转换器。产品特性包括采用TrenchFET技术，符合无卤素标准，并经过100%的Rg和UIS测试，确保了可靠性和安全性。" 详细说明： 7N6-SOT23-3-VB是一款N-Channel沟道MOSFET，这意味着它在栅极（Gate）和源极（Source）之间加正电压时导通，而在零或负电压时截止。这款MOSFET设计用于SOT23封装，这是一种小型表面贴装器件，适合空间有限的应用。 关键参数包括： 1. **Drain-Source电压 (VDS)**：最大值为60V，意味着源极和漏极之间可承受的最大电压。 2. **连续Drain电流 (ID)**：在室温（25°C）下，ID的最大值为4A，随着温度升高，电流能力会下降。 3. **RDS(ON)**：衡量MOSFET在导通状态下的电阻。在VGS=10V时，RDS(ON)仅为85mΩ，这表明它在低电压下有良好的导通性能，适合低损耗应用。 4. **阈值电压 (Vth)**：在1到3V之间，决定了使MOSFET导通所需的最小栅极电压。 5. **Qg（总栅极电荷）**：典型值为2.1nC，表示开启或关闭MOSFET所需电荷，影响开关速度。 应用领域： 7N6-SOT23-3-VB适用于电池开关，例如在便携式设备中控制电池的接入和断开，以及DC/DC转换器，用于电源管理和电压转换。 附加特性： - **TrenchFET技术**：采用沟槽结构，减小了MOSFET的尺寸并提高了性能。 - **无卤素**：符合IEC61249-2-21标准，对环境友好。 - **100% Rg和UIS测试**：确保了器件的栅极电阻和雪崩耐受能力，增强了可靠性。 绝对最大额定值： - **Drain-Source电压 (VDS)**：60V - **Gate-Source电压 (VGS)**：±20V - **连续Drain电流 (ID)**：在不同温度下有不同的限制 - **脉冲Drain电流 (IDM)**：12A - **连续Source-Drain二极管电流 (IS)**：在不同温度下有所不同 - **雪崩电流 (IAS)**：6A - **单脉冲雪崩能量 (EAS)**：1.8mJ - **最大功率耗散 (PD)**：在不同温度下有不同的限制 工作和存储温度范围： - **-55°C to 150°C**，确保了器件在广泛的工作环境中能正常运行和储存。 这款MOSFET的综合性能和小型封装使其成为电源管理、信号切换和低功耗电路的理想选择。