DMG4800LSD-13-VB：高性能N沟道SOP8场效应管

"DMG4800LSD-13-VB是一款N沟道的TrenchFET® Power MOSFET，适用于高侧同步整流器操作，采用SOP8封装，具有卤素免费、优化高侧同步整流、100% Rg和UIS测试等特性。该器件在25°C时的最大连续漏源电流ID为11A，开启电压VGS为10V时的RDS(on)低至0.010Ω，且Qg典型值为5.9nC（VGS = 10V）和7.1nC（VGS = 4.5V）。" DMG4800LSD-13-VB是一款由飞兆半导体（Fairchild Semiconductor，现已被ON Semiconductor收购）生产的高性能场效应晶体管，设计用于笔记本电脑CPU核心的高侧开关应用。这款MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，这使得它具有更低的导通电阻和更好的热性能。TrenchFET技术通过在硅片上创建深沟槽结构，减小了器件的表面积，从而降低了RDS(on)，提高了电流处理能力和效率。 该器件的绝对最大额定值包括30V的漏源电压VDS，正负20V的栅源电压VGS，以及在不同温度下的持续漏源电流ID。在25°C时，ID的最大值为11A，而当温度升至70°C时，ID的值会稍微下降。此外，DMG4800LSD-13-VB还允许脉冲漏源电流IDM达到45A，连续源漏二极管电流IS为3.2A，单脉冲雪崩电流IAS为17A，并能承受21毫焦耳的雪崩能量EAS。 散热方面，器件的热特性是关键考虑因素。其最大结到壳热阻抗RθJC通常决定着器件能否有效散热。在25°C和70°C时，最大结到壳热阻抗分别为1.2°C/mW和1.9°C/mW，这意味着在这些条件下，每瓦功率损耗会导致外壳温度升高这么多度。为了确保器件的长期稳定工作，必须确保其工作和存储温度在-55°C到150°C之间。 DMG4800LSD-13-VB是一款高性能、高效率的N沟道MOSFET，特别适合需要低RDS(on)和良好热管理的应用。其紧凑的SOP8封装和优化的特性使其成为高侧同步整流器和电源管理电路的理想选择。在设计时，需要充分考虑其额定值和热特性，以确保可靠性和系统性能。