超低功耗BS62LV1024 128KB CMOS SRAM：2.4V-5.5V工作电压

BS62LV1024是一款非常低功耗的电压兼容CMOS静态随机访问存储器（SRAM），专为高性能应用设计。这款128Kx8位的器件在 Revision 2.2 的 April 2001 版本中提供了卓越的特性。 首先，BS62LV1024具有广泛的电压兼容性，工作电压范围广泛，从2.4V到5.5V，这使得它能够在各种电路环境中稳定运行。对于电压等级较高的情况（如3.0V和5.0V），它分别支持最高20mA（V-grade）和35mA（I-grade）的运行电流。值得注意的是，即使在不操作状态下，其典型CMOS待机电流也非常低，仅为0.02uA（3.0V下）和0.4uA（5.0V下），这极大地延长了电池寿命，对于能源效率敏感的设备至关重要。 该芯片具有高速存取能力，其最大存取时间仅需70ns，当工作在3.0V时，这意味着数据读写的速度非常快，适合于实时处理和高效数据传输。此外，它还具备自动电源关闭功能，当芯片被系统选中时停止供电，进一步节省能源。 为了扩展内存容量，BS62LV1024提供了三个控制选项：一个活跃低的芯片使能（CE1）、一个活跃高的芯片使能（CE2）以及一个输出使能（OE）。这些选项使得设计者可以根据需要灵活地增加存储单元的数量或调整操作模式，提高了系统的灵活性和可扩展性。 整个存储器是完全静态工作的，无需周期性的刷新操作，从而减少了复杂性和功耗。数据存储在1.5V的最低供电电压下也能保持，这为低功耗和备用电源应用场景提供了可能。 BS62LV1024是一款性能出色、功耗极低、操作便捷的CMOS SRAM，是嵌入式系统、移动设备或电池驱动应用的理想选择，尤其适用于对能效有极高要求的现代电子设计。