038D-VB: SOT23封装P-Channel场效应MOS管，-30V高电流特性

038D-VB是一款由VBSEMIBRAND生产的采用SOT23封装的P-Channel场效应MOS管，特别适用于移动计算应用，如负载开关、笔记本适配器开关和直流/直流转换器。这款器件采用了TrenchFET® PowerMOSFET技术，确保了高效和高可靠性。 该MOSFET的主要特性包括： 1. **封装类型**：SOT23封装，占用空间小，适合表面安装在1英寸x1英寸FR4电路板上，有利于紧凑型设计。 2. **电压等级**： - Drain-Source (D-S)电压：最大可达-30V，这意味着它可以在高压环境下工作。 - Gate-Source (G-S)电压范围：±20V，允许宽广的控制电压输入，以实现精确的栅极控制。 3. **电流规格**： - 连续导通电流（ID）在25°C时，最大为-5.6A，随着温度升高会有所下降，例如在70°C时为-5.1A。 - Pulsed Drain Current（短路脉冲电流）极限为-18A，确保了在瞬间大电流需求下的性能。 4. **安全特性**： - 在持续源-漏二极管电流（IS）方面，-2.1A在25°C下是典型值。 - 最大功率损耗（PD）在不同温度下也有限制，例如在25°C下为2.5W，70°C时为1.6W。 5. **温度参数**： - 操作和存储温度范围：-55°C至150°C，确保了在宽温工作环境中的稳定性能。 - 热阻抗：这些参数包括热耗散到散热器或环境之间的典型和最大值，有助于散热设计。 6. **质量保证**：100%的Rg测试，保证了器件的可靠性和一致性。 038D-VB SOT23封装P-Channel MOSFET是一款适用于移动设备中需要高效能和小型化的开关应用的理想选择，设计者在集成时需注意其电压、电流和温度限制，以确保在实际应用中发挥最佳性能。同时，它的封装和测试质量也为高密度设计提供了便利。