SILVACO TCAD教程：使用ATHENA与ATLAS进行工艺和器件仿真

"栅极偏置参数的设置方法与SILVACO TCAD工具的使用" 在SILVACO的TCAD工具中，栅极偏置参数的配置是器件仿真的关键步骤，特别是对于晶体管如MOSFET的模拟。在本例中，通过SpringBoot、MyBatis和Druid进行动态数据源配置来实现这一过程的自动化可能是一个高级应用，但主要的焦点仍然是理解如何在ATLAS环境中设置和解决栅极偏置问题。 首先，栅极偏置参数设置涉及到在DECKBUILD文本窗口中输入特定的solve语句。在图4.75所示的示例中，vgate参数被设置为不同的值（1.1V、2.2V和3.3V），以研究不同栅极电压下器件的行为。每种情况下，都会保存结果输出到对应的文件（如solve1、solve2和solve3），这可以通过在solve语句中添加outf参数实现。 接着，为了研究漏极电压的变化，用户需要在ATLAS Commands菜单中选择Solutions和Solve…选项，然后修改Write mode为Test，并更改Log file的名称。接着，更改Name栏的gate为drain，Type栏的CONST为VAR1，并设定Initial Bias、Final Bias和Delta来定义漏极电压的范围和步进。 在完成这些设置后，可以通过Load菜单加载之前保存的栅极偏置结果（如solve1），以替换solve init语句，从而在新的漏极电压条件下运行仿真。在Deckbuild中，选择要替换的语句，指定文件名（如solve1）和格式（SPICES），然后确认替换操作。 关于SILVACO TCAD工具，章节4介绍了使用ATHENA进行工艺仿真和ATLAS进行器件仿真的基本流程。在4.1.1中，概述了如何创建NMOS工艺的输入文件，包括定义仿真网格、执行各种工艺操作（如沉积、刻蚀、氧化、扩散、退火和离子注入），以及保存和加载结构信息。在4.1.2中，详细描述了创建初始结构的步骤，例如通过deckbuild-an&命令启动ATHENA，定义网格参数以提高仿真精度，并特别强调了在有源区附近设置精细网格的重要性。 这些操作展示了SILVACO TCAD工具在半导体器件模拟中的强大功能，以及如何通过程序化方式（如SpringBoot框架）来集成和自动化这些模拟过程。了解和掌握这些步骤对于理解和优化半导体器件性能至关重要。