SILVACO TCAD教程:使用ATHENA与ATLAS进行工艺和器件仿真
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更新于2024-08-10
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"栅极偏置参数的设置方法与SILVACO TCAD工具的使用"
在SILVACO的TCAD工具中,栅极偏置参数的配置是器件仿真的关键步骤,特别是对于晶体管如MOSFET的模拟。在本例中,通过SpringBoot、MyBatis和Druid进行动态数据源配置来实现这一过程的自动化可能是一个高级应用,但主要的焦点仍然是理解如何在ATLAS环境中设置和解决栅极偏置问题。
首先,栅极偏置参数设置涉及到在DECKBUILD文本窗口中输入特定的solve语句。在图4.75所示的示例中,vgate参数被设置为不同的值(1.1V、2.2V和3.3V),以研究不同栅极电压下器件的行为。每种情况下,都会保存结果输出到对应的文件(如solve1、solve2和solve3),这可以通过在solve语句中添加outf参数实现。
接着,为了研究漏极电压的变化,用户需要在ATLAS Commands菜单中选择Solutions和Solve…选项,然后修改Write mode为Test,并更改Log file的名称。接着,更改Name栏的gate为drain,Type栏的CONST为VAR1,并设定Initial Bias、Final Bias和Delta来定义漏极电压的范围和步进。
在完成这些设置后,可以通过Load菜单加载之前保存的栅极偏置结果(如solve1),以替换solve init语句,从而在新的漏极电压条件下运行仿真。在Deckbuild中,选择要替换的语句,指定文件名(如solve1)和格式(SPICES),然后确认替换操作。
关于SILVACO TCAD工具,章节4介绍了使用ATHENA进行工艺仿真和ATLAS进行器件仿真的基本流程。在4.1.1中,概述了如何创建NMOS工艺的输入文件,包括定义仿真网格、执行各种工艺操作(如沉积、刻蚀、氧化、扩散、退火和离子注入),以及保存和加载结构信息。在4.1.2中,详细描述了创建初始结构的步骤,例如通过deckbuild-an&命令启动ATHENA,定义网格参数以提高仿真精度,并特别强调了在有源区附近设置精细网格的重要性。
这些操作展示了SILVACO TCAD工具在半导体器件模拟中的强大功能,以及如何通过程序化方式(如SpringBoot框架)来集成和自动化这些模拟过程。了解和掌握这些步骤对于理解和优化半导体器件性能至关重要。
2018-09-05 上传
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