20V N/P沟道SC70-6封装快速开关场效应管：SI1539CDL-T1-GE3-VB特性与应用

SI1539CDL-T1-GE3-VB是一款高性能的场效应管，属于N+P双极型（N-and-P-Channel）20V耐压MOSFET。这款晶体管的特点如下： 1. 环保设计：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，体现了对环境保护的关注。 2. Trench FET技术：采用了先进的沟槽场效应晶体管技术，确保了在1.8V额定电压下的高效性能。 3. 热增强封装：采用SC-70-6封装，通过优化散热设计，提高了晶体管在高温环境下的稳定性和可靠性。 4. 快速开关特性：适合需要快速响应的应用，具有较快的开关速度。 5. 符合RoHS指令：遵循欧盟2002/95/EC指令，确保了产品的无铅和低毒设计，符合电子废弃物管理要求。 该场效应管适用于多个应用领域，特别是便携式设备中的负载开关，提供高效率和可靠的电流控制。 产品具体参数如下： - N-Channel（N沟道）： - VDS（漏源电压）：20V - RDS(on)（导通电阻）：0.090Ω（在VGS=4.5V时），0.110Ω（VGS=2.5V），0.130Ω（VGS=1.8V） - ID（持续电流）：3.28A（TA=25°C）、2.12A（TA=85°C） - P-Channel（P沟道）： - VDS：-20V - RDS(on)：0.155Ω（VGS=-4.5V），0.190Ω（VGS=-2.5V），0.220Ω（VGS=-1.8V） - ID：-2.80A（TA=25°C）、-1.72A（TA=85°C） 此外，还提供了瞬态脉冲电流参数（如IDM）以及连续源电流（如IS）等数据。在操作过程中，最大功率损耗（PD）和温度依赖性也有所考虑，例如在25°C下，N-Channel的最大功率为1.24W，而P-Channel为1.17W。 SI1539CDL-T1-GE3-VB场效应管是一款专为便携设备设计的、高性能、环保且高效的开关元件，广泛应用于需要高效率和低功耗的电路设计中。在选择和使用时，需注意其温度限制和安全工作条件。