NandFlash详解：从基本概念到K9F2G08 datasheet分析

"NandFlash datasheet" NandFlash是一种非易失性存储设备，它在断电后仍能保持数据，这与易失性存储器（如RAM）形成鲜明对比。NandFlash的核心存储机制是通过高低电平来表示数据，存储单元中的电荷电压高于特定阈值时代表高电平（1），低于阈值则代表低电平（0）。SLC（SingleLevelCell）和MLC（MultiLevelCell）是NandFlash的两种主要类型。 SLC技术是最简单的，每个存储单元只存储1位数据，即0或1。写入1意味着向单元充电至超过阈值电压Vth，而写入0则是放电使其低于Vth。擦除操作通常按块（Block）进行，将整个块写为1。相比之下，MLC允许每个单元存储多个位，例如2位、4位等。通过精细控制单元内的电荷量，可以实现不同电平状态，从而表示更多数据。读取时，根据电流大小（与阈值电压成反比）和解码电路解析出存储的数据。 在NandFlash的datasheet中，48-pin K9F2G08是一款常见的例子。它的引脚功能包括： 1. I/O0~I/O7：多功能引脚，用于传输地址、数据和命令，以及接收数据。 2. CLE (Command Latch Enable)：发送命令的使能信号。 3. ALE (Address Latch Enable)：地址锁存使能，用于提供地址信息。 4. CE# (Chip Select)：芯片选择信号，用于选择当前操作的NandFlash芯片。 5. WE# (Write Enable)：写入使能，控制数据写入。 6. RE# (Read Enable)：读取使能，控制数据读出。 7. RST# (Reset)：复位信号，重置设备到初始状态。 8. WP# (Write Protect)：写保护，防止意外写入操作。 驱动加载流程和驱动解析是与硬件交互的关键部分。驱动程序负责建立操作系统与硬件之间的通信桥梁，处理初始化、读写操作、错误检测和恢复等功能。在TQ210开发板上，NandFlash驱动的加载通常涉及以下步骤： 1. 初始化：设置CE#、ALE、CLE等引脚，准备读取设备ID以识别型号。 2. 检测坏块：扫描NandFlash的所有块，标记出坏块，避免在其上进行读写操作。 3. 分区管理：创建逻辑块地址（LBA）到物理块地址（PBA）的映射表，以便高效访问数据。 4. 写操作：根据SLC或MLC类型，控制电荷存储以写入数据，并处理ECC（Error Correction Code）以纠正潜在错误。 5. 读操作：读取存储单元的电平并解码为数据，同时应用ECC进行错误检查。 6. 擦除操作：按块进行，确保所有数据被清除至表示1的状态。 驱动解析涉及到理解驱动代码如何处理上述操作，包括使用何种协议（如ONFI或JEDEC标准）、如何执行I/O操作、如何处理错误等。理解这些细节对于开发、调试或优化NandFlash的性能至关重要。