1500℃熔渗法制备Ti3SiC2的性能优化与影响因素
需积分: 11 92 浏览量
更新于2024-08-25
收藏 282KB PDF 举报
本文主要探讨了熔渗法制备Ti3SiC2材料的工艺过程以及影响其性能的关键因素。Ti3SiC2是一种高性能复合材料,具有优异的硬度和高温稳定性能,广泛应用于耐磨、耐热等领域。该研究通过西安交通大学材料科学与工程学院进行,使用熔渗反应烧结技术来制备Ti3SiC2。
研究结果显示,熔渗过程中的关键参数对材料性能有显著影响。首先,熔渗温度是决定Ti3SiC2相生长的重要因素,当熔渗温度设定为1500℃时,发现最佳的熔渗保温时间为30分钟。保温时间过短可能导致不完全反应,而过长可能引发晶粒长大,影响材料的微观结构和性能。
其次,Ti3SiC2相含量直接影响材料的力学性能。随着Ti3SiC2相在试样中的比例增加,材料的抗弯性能得到了明显的提升。这是因为Ti3SiC2的高强度和高硬度共同作用,增强了材料的刚性和韧性。
摩擦和磨损性能也是研究的重点。实验结果显示,随着试验压力的增大,Ti3SiC2材料的摩擦因数和磨损率呈现出先增后减的趋势。在较低压力下,由于金属和Ti3SiC2界面间的接触面积增加,摩擦力增大,磨损率也随之上升。然而,当压力进一步增大到40N时,摩擦表面可能会形成连续的氧化膜,这种膜可以减小材料与接触面的直接磨损,从而降低磨损率。
熔渗法制备Ti3SiC2材料的工艺参数和Ti3SiC2相的含量对材料的抗弯强度、摩擦因数和磨损率有着显著的影响。优化这些参数可以有效提升Ti3SiC2材料的综合性能,使其在实际应用中展现出更好的机械性能和耐磨损特性。这项研究对于Ti3SiC2材料的设计和制备具有重要的理论指导意义,也为相关领域的工程实践提供了参考。
2020-01-08 上传
2020-02-24 上传
2024-09-16 上传
2024-09-16 上传
2024-09-16 上传
2024-09-16 上传
weixin_38713717
- 粉丝: 6
- 资源: 932
最新资源
- 李兴华Java基础教程:从入门到精通
- U盘与硬盘启动安装教程:从菜鸟到专家
- C++面试宝典:动态内存管理与继承解析
- C++ STL源码深度解析:专家级剖析与关键技术
- C/C++调用DOS命令实战指南
- 神经网络补偿的多传感器航迹融合技术
- GIS中的大地坐标系与椭球体解析
- 海思Hi3515 H.264编解码处理器用户手册
- Oracle基础练习题与解答
- 谷歌地球3D建筑筛选新流程详解
- CFO与CIO携手:数据管理与企业增值的战略
- Eclipse IDE基础教程:从入门到精通
- Shell脚本专家宝典:全面学习与资源指南
- Tomcat安装指南:附带JDK配置步骤
- NA3003A电子水准仪数据格式解析与转换研究
- 自动化专业英语词汇精华:必备术语集锦